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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOSFET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

FET属于电压控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，在大规模和超大规模集成电路中被应用。凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。

为保证FET在使用过程中能够正常工作，IV特性分析对衡量FET的性能好坏有着至关重要的作用。测试FET的IV特性有利于获取有关器件的参数，研究制造技术与工艺变化等因素的影响。

一般需要测试的项目包括栅极漏电流、击穿电压、阈值电压、传输/转移特性、漏极电流、导通电阻等。通常涉及使用多种仪器，包括高精度电流表，多个电压源和电压表等。

恩智NGI 2600系列高精密数字源表（SMU）集5台仪器（电压源、电流源、IVR测量）功能于一体，具备超高精度源与测量、四象限工作、多台同步触发、线性/对数扫描等特点，可完美满足FET的IV特性分析和生产测试场景。

FET是多数载流子器件，其载流能力通过施加的电压的变化而变化。FET有三个主要端子：栅极、漏极和源极。施加到栅极的电压（V_G）控制从源极I_S流到漏极I_D的电流。

在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

FET常见的IV特性曲线如漏极特性曲线（ V_S-I_D），通过该测试在SMU CH1调节栅极电压（V_G），而SMU CH2扫描漏源电压（V_DS）并测量得到的漏极电流（I_D）。一旦两个SMU配置为同步触发，可以生成IV数据实时显示在屏幕上，并可通过表格形式直接保存导出，对于每个SMU通道，电流、电压和时间等数据也可分别保存。

N2600系列能输出超高精度的电压源和电流源并提供测量功能，达6位半分辨率，最小分辨率为1μV、10pA、10μΩ；集成线性扫描、对数扫描模式，扫描方案通过设定函数关系及保护点后自动运行，两种基本扫描波形可设置为单事件或连续工作，非常适用于FET测试的IV特性分析；采用同步触发功能、七档电流范围设置，最大采样速度可达100ksps，扫描速度可达1ms每点，能快速的建立扫描，缩短测试时间，提高测试数据的精确度。综上所述，N2600系列高精密源表多种内建功能使其成为场效应管IV特性测试的理想选择。