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本文将介绍使用数学公式的子电路模型。在这里，请了解除了此前介绍过的器件模型组合而成的子电路模型之外，还有以数学公式为主的子电路模型。

使用数学公式的子电路模型

在子电路模型中，还有通过数学公式特性来表达元器件特性的模型。在上一篇文章和上上篇文章中介绍过的“MOSFET的子电路模型”，基本上是由器件模型组合构成的，本文中介绍的子电路模型的类型是由数学公式构成的。下面是使用数学公式的SiC-SBD（肖特基势垒二极管）的子电路模型示例和此前介绍过的MOSFET的子电路模型示例。在这里将省略关于描述的详细介绍，不过通过示例可以了解到两种描述的不同。

使用数学公式的子电路模型，可根据元器件的特性调整数学公式，因此具有再现性高的特点。但是，模型比较复杂，因此具有仿真时间较长、容易出现收敛误差的缺点。