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本文将开始AC/DC转换器设计篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”。在本文中，继此前提到的“反激式”和“正激式”之后，将介绍使用了“准谐振方式”电源IC的隔离型AC/DC转换器的设计案例。

另外，功率开关使用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）MOSFET。与Si半导体相比，SiC是一种损耗低且具有优异的高温工作特性的新一代半导体材料。提起SiC半导体，给人的印象可能是使用在处理特大功率的特殊应用上的，但实际上SiC可以帮助众多我们身边所熟悉的应用实现节能化和小型化。SiC半导体已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性要求很严苛的车载设备上。关于SiC功率元器件，在Tech Web基础知识专栏中有详细介绍，可以结合起来阅读。

在本篇章中计划介绍以下项目。

＜使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例＞

1. 用于设计的IC

2. 变压器设计

3. 主要部件选型

4. EMI对策

5. 输出噪声对策

6. 布局方案

7. 评估

以下是该设计案例所完成的AC/DC转换器。顺便提一下，电源用IC安装于背面红色○处，SiC-MOSFET安装于表面橙色○处。

使用了电源用IC：BD7682FJ和SiC-MOSFET：SCT2H12NZ的隔离型准谐振AC/DC转换器示例

下一篇文章计划介绍用于设计的电源IC和准谐振类型。