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MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片,其尺寸都是86MIL,是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR10100DC的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.8V,恢复时间(Trr)为5nS,其中有3条引线。
MBR10100DC参数描述
型号:MBR10100DC
封装:TO-263
特性:肖特基二极管
电性参数:10A100V
芯片材质:SI
正向电流(Io):10A
芯片个数:2
正向电压(VF):0.8V
芯片尺寸:86MIL
浪涌电流Ifsm:150A
漏电流(Ir):0.05mA
工作温度:-65~+175℃
恢复时间(Trr):<5nS
引线数量:3
MBR10100DC肖特基TO-263封装系列。它的本体长度为10.6mm,加引脚长度为16.6mm,宽度为10.4mm,高度为4.8mm,脚间距为2.75mm。MBR10100DC采用阻燃环氧模塑料,有低功耗、高效率、低正向电压、高电流能力、高浪涌能力等特性,常用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用。
以上就是关于MBR10100DC-ASEMI肖特基二极管MBR10100DC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。
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