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ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。

采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低

组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。

“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron 10mΩ（typ）的、SiC-SBD内置型全SiC功率模块。下图为与现有产品的关系示意图。

BSM180D12P3C007的开关损耗与IGBT模块相比大幅降低，比ROHM现有的IGBT模块产品也低42%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。

全SiC功率模块的产品阵容扩充

下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了新产品。今后，ROHM将会继续扩充并完善产品阵容。

NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS)	1200	80	-40 to +175	-40 to +125	2500	34	C type	无
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS)		120				20
NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS)		180				10
NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS)		120				20
NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS)		180				10	E type	有
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS)		300				7.3

• 重点必看

  

• 开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小