ASC5N1700MT3首款碳化硅MOS实现驱动门极电压ON 侧时为+12V
ASC5N1700MT3.pdf 碳化硅MOS 应用 选型 指南.pdf SiC‐MOSFET 是一种易于驱动、驱动功率较少的常闭型电压驱动型的开关器件。基本的驱动方法和IGBT以及Si‐MOSFET 一样。推荐的驱动门极电压，ON侧时为+18V左右（ASC5N1700MT3实现驱动门极电压ON 侧时为+12V），OFF侧时为0V。在要求高抗干扰性和快速开关的情况下，也可以施加‐3～‐5V 左右的负电压。
ASC5N1700MT3首款碳化硅MOS实现驱动门极电压+12V
关键词： 新能源 光伏 逆变器 CREE科锐、ROHM罗姆
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