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当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪崩电流IAS”，参见下图（1）。

MOSFET的雪崩失效电流路径示意图（红色部分）

如上图所示，IAS会流经MOSFET的基极寄生电阻RB。此时，寄生双极型晶体管的基极和****极之间会产生电位差VBE，如果该电位差较大，则寄生双极晶体管可能会变为导通状态。一旦这个寄生双极晶体管导通，就会流过大电流，MOSFET可能会因短路而失效。

在雪崩击穿期间，不仅会发生由雪崩电流导致寄生双极晶体管误导通而造成的短路和损坏，还会发生由传导损耗带来的热量造成的损坏。如前所述，当MOSFET处于击穿状态时会流过雪崩电流。在这种状态下，BVDSS被施加到MOSFET并且流过雪崩电流，它们的乘积成为功率损耗。这种功率损耗称为“雪崩能量EAS”。雪崩测试电路及其测试结果的波形如下图所示。此外，雪崩能量可以通过公式（1）来表示。

雪崩测试的电路简图

雪崩测试中MOSFET的电压和电流波形

一般情况下，有抗雪崩保证的MOSFET，在其规格书中会规定IAS和EAS的绝对最大额定值，因此可以通过规格书来了解详细的值。在有雪崩电流流动的工作环境中，需要把握IAS和EAS的实际值，并在绝对最大额定值范围内使用。

引发雪崩击穿的例子包括反激式转换器中的MOSFET关断时的反激电压和寄生电感引起的浪涌电压等。针对反激电压引起的雪崩击穿，对策包括在设计电路时采用降低反激电压的设计或使用具有更高耐压性能的MOSFET。而针对寄生电感引起的雪崩击穿，改用引脚更短的封装的MOSFET或改善电路板布局以降低寄生电感等都是比较有效的措施。