EEPW论坛

在本期的内容中，我们选取ROHM的SCT3040KL器件（规格：1200V / 40mohm    封装：TO-247-3）为例，为您展示该器件重要参数的实测报告。

划重点啦！测试参数清单

重要参数测试结果摘选

1. 漏电流

漏电流特性用IDSS-VDS曲线表示，横坐标为SiC MOSFET承受的反向电压VDS，纵坐标为其漏电流IDSS，采用对数坐标轴。

在同一温度下，IDSS随VDS增加而升高。当VDS较小时，IDSS上升缓慢；随着VDS继续增加，IDSS上升速度有所增加。当VDS超过一定电压后，曲线出现明显拐点，IDSS几乎呈垂直角度上升。此时SiC MOSFET进入雪崩状态，拐点所对应的电压即是SiC MOSFET的耐压值。例如下25℃下，被测SCT3040KL的耐压值为1680V。

随着温度的变化，IDSS-VDS曲线也发生变化。当VDS较小时，IDSS随温度的上升而上升。拐点对应的电压同样随温度的升高而增大，说明SiC MOSFET的耐压值随温度升高而增大。被测SCT3040KL在25℃、75℃、125℃、175℃下的耐压值分别为1680V、1702V、1714V、1752V。

2. 导通电阻特性-2

SiC MOSFET的导通电阻RDS(on)受温度和栅-源极电流IDS的影响，可由其输出特性曲线计算得到。

在同一温度下，RDS(on)随着IDS的升高而增大。在125℃、VGS=18V下，被测SCT3040KL的RDS(on)由IDS=5A下的59mΩ增大到IDS=45A下的62mΩ，增大了0.05倍。在125℃、VGS=20V下，被测SCT3040KL的RDS(on)由IDS=5A下的57mΩ增大到IDS=45A下的60mΩ，增大了0.05倍。

在同一IDS下，RDS(on)随着温度的升高而增大。在IDS=30A、VGS=18V下，被测SCT3040KL的RDS(on)由25℃下的41mΩ增大到175℃下的76mΩ，增长0.85倍。在IDS=30A、VGS=20V下，被测SCT3040KL的RDS(on)由25℃下的38mΩ增大到175℃下的75mΩ，增长0.97倍。

3. 阈值电压

SiC MOSFET的阈值电压VGS(th)不是固定值，受到温度和所承受测反向电压VDS的影响。

在同一VDS测试条件下，VGS(th)随着温度的升高而降低。当测试条件为VDS=VGS时，被测SCT3040KL的VGS(th)由25℃下的4.3V降低到175℃下的3.4V。

在同一温度下，VGS(th)随着VDS的升高而降低。在175℃下，被测SCT3040KL的VGS(th)由VDS=VGS下的3.4V降低到VDS=800V的2.65V。

4. 开关特性-3

(Vbus=800V, IDS=20A, TJ=125℃, VGS=-5/20V)

RG对SiC MOSFET开关特性影响非常显著。被测SCT3040KL的开关延时、tr、tf随着RG的减小而减小，开关损耗也不断减小。

5.体二极管反向恢复-2

(V_F=800V,T_J=125℃,V_GS=0V, dI_F/dt=1000A/us)

随着温度的升高，被测SCT3040KL体二极管的trr、Qrr、Irrm均不断增加，说明温度升高使得其体二极管的反向恢复特性不断变差。