功率开关节点通常是高频电压幅值方波，所以应保持较 小 铺铜面积，且模拟元件应远离功率开关节点 区域以防止 掺杂电容噪音。 4:FB 管脚外置电阻应尽量靠近芯片，且布线足够宽。
所有模拟地应连接到同一个节点，然后将该节点连 接到输出电容后面的功率地，做到一点接地。 6:芯片下方建议用功率地 GND 铺铜，以增强芯片的 散热面积和 IC 的抗干扰能力。若是双面板可将顶层 和底层的 GND 用 Via 连接。
◆温度保护AP3471 具有过温保护功能。当芯片内部温度达 到 150℃时，保护电路启动，关闭 PWM 输出，使芯 片 温度下降。过温保护电路可以防止芯片因故障导致 的过热损坏。AP3471 若长时间处于热关断模式会降 低芯 片的可靠性。◆电流限制在上管 PMOS 功率管导通期间，电流限制模块可 以检测流过上管 PMOS 功率管的电流。此电流限定值 由内部直接设定，如果流过上管 PMOS 功率管的电流 超过设定的限流值，则上管 PMOS 功率管截止。特点：◆ 输出电流：3.1A◆ 开关频率：130kHz◆ 宽输入电压范围：8V-30V◆ 宽输出电压范围：1.8V-28V◆ 无需外部补偿◆ 效率可高达 92%以上◆ 输入欠压/过压、输出短路和过热保护◆ SOP8 封装应用：◆ 车载充电器、适配器◆ 追踪器、恒压源◆ 分布式供电系统
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