这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » 碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM/1200V800

共9条 1/1 1 跳转至

碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM/1200V800A)针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块

助工
2023-02-13 15:44:36     打赏

碳化硅SiC模块(丹弗斯DCM1200V800A)ASC800N1200DCS12:高温、高湿、偏置操作;超低损耗<5nH;高频操作;MOSFET的零关断尾电流;正常关闭,故障安全设备操作;易于并行;铜底板和氮化硅绝缘体。ASC800N1200DCS12 模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV),针对牵引应用开发的功率模块.

QQ图片20230214095619.png




关键词: 电机控制     新能源     混合动力汽车HEV     EV    

高工
2023-02-13 15:57:15     打赏
2楼

感谢分享


专家
2023-02-13 15:59:31     打赏
3楼

感谢分享


高工
2023-02-13 16:03:19     打赏
4楼

感谢分享


高工
2023-02-13 16:22:55     打赏
5楼

感谢分享


助工
2023-02-17 15:27:02     打赏
6楼

ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM1200V800A)


助工
2023-04-21 09:03:00     打赏
7楼

SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生电容(CGD、CDS、CGS)。


助工
2023-05-29 17:10:38     打赏
8楼

高温、高湿、超低损耗


助工
2023-06-01 08:47:35     打赏
9楼

SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单


共9条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]