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　　GaN 是一种宽带隙半导体，允许设备在比硅更高的温度和更高的电压下运行。此外，GaN 更强的介电击穿使得能够构建更小且因此电阻更低的器件。较低的Rds(on)特性导致较小的器件具有较小的电容。IVWorks(韩国)利用基于深度学习的人工智能(AI)外延技术制造氮化镓(GaN)外延片，这是直流功率器件和5G通信设备的关键材料，已获得670万美元的B轮投资.

　　因此，IVWorks 现已获得总计 1000 万美元的资金。三星的专业投资子公司三星风险投资参与了本轮融资，在种子轮融资后进行了后续投资，其他新投资者包括 KB Investment、KDB Bank 和 Dt & Investment。IVWorks 最近还完成了 1740 万美元的 C 系列融资，因此筹资总额为 2740 万美元。

　　外延GaN晶片具有高效率和高功率输出的特点，是用于功率和RF(射频)器件的基础材料。应用于IT产品的快速充电器、电动汽车的电源转换器、5G****、国防雷达等。

　　“GaN具有高电子迁移率、高电流密度和高击穿电压等特性，使得制造工作在高频下的高效、高输出功率器件成为可能。与 Si、SiC 和 GaAs 材料相比，它更小、速度更快，并且具有更高的效率和更高的功率输出。然而，与 Si SiC GaAs 不同，GaN 在自支撑晶圆技术方面尚未得到充分发展，因此需要在异质衬底(Si 或 SiC)上外延生长 GaN。虽然 Si 可以低成本获得大直径晶圆，但与 GaN 的晶格失配和热膨胀系数差异较大，需要一种控制应力和缺陷密度的技术。这些技术的实施给提高生产力带来了困难。与西相比，SiC晶格失配小，热膨胀系数低，易于实现高质量的GaN外延生长。由于 SiC 衬底的价格较高，其应用仅限于需要严格热管理的大功率射频设备，”IVWorks 总裁兼首席执行官 Young-Kyun Noh 表示。

　　GaN外延技术

　　IVWorks利用自有技术高效环保的外延系统和基于人工智能的生产平台，生产功率器件用6-8英寸GaN-Si外延片和射频器件用GaN-SiC外延片4-6英寸。

　　“外延工艺是一个自下而上的纳米技术领域，需要在原子层水平上精确控制晶体生长。“Domm”系统可以通过在外延生长期间在原子层级别实时监控晶体生长状态，并通过机器学习监控数据集来实时控制过程，从而最大限度地提高生产率，”Noh 说。

　　这些资金是通过新投资筹集的，预计将用于扩大制造能力和增强基于人工智能的制造平台。近期的市场动态(如苹果、三星、华为等IT产品中GaN快速充电器的使用，以及GaN功率器件在电动汽车车载充电器和电源转换器中的扩展)都在本次融资中有所体现这表明公司有兴趣保持差异化的技术专长，并专注于响应市场需求的大规模增长。

　　“这笔资金将用于扩大产能和推进自主研发的基于人工智能的生产平台的开发。GaN外延片产量翻番(4″ GaN on SiC产能为7800片/月，8″ GaN on Si产能为2100片/月)。新建Fab应用AI生产平台“Domm”Level 4，展示“AI生产”阶段。它的目标是在 2023 年在韩国市场 (KOSDAQ) 上市，并计划利用上市所获得的资金建设一个应用 Domm Level 5(AI Manufacturing)的全自动智能工厂，”Noh 说。

　　据 Noh 介绍，IVWorks si 目前正在生产具有竞争力的 4 英寸 GaN on SiC，并已完成 6 英寸原型开发。在 Si 上 GaN 的情况下，正在生产 8 英寸 GaN on Si。2022年有望推出12英寸Si基GaN。