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       米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。. 虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。
       在日常的工作过程中，IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题，往往见于明显的在0到15V类型的门极驱动器，也就是工程师们常说的单电源驱动器。门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通，也就是门集电压尖峰，这对于IGBT乃至整机来说，都是一种潜在的危险。
       为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和****极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题，工程师需要依据实际情况进行比较和判断。
       目前业内所采用通过缩短门极—****极的路径，用一个晶体管放在门极—****极之间是一种比较常用的方法。这种方法在达到一定的阈值之后，晶体管将造成门极—****极地区的短路。我们将这种加入额外晶体管的技术称之为源米勒钳位，这种办法是能够有效消除米勒效应产生的寄生电容问题。