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      高性能嵌入式非易失性存储器(eNVM)在消费电子、自动驾驶汽车、工业控制和物联网边缘设备等领域的SOC芯片中需求非常大。铁电存储器(FeRAM)具有高可靠性、超低功耗、高速等优点，广泛应用于需要实时大量数据记录、频繁数据读写、低功耗工作以及嵌入式SoC/SiP产品中。

　　基于PZT材料的铁电存储器已实现大规模量产，但因其材料与CMOS工艺不兼容、难以微缩，导致传统铁电存储器发展进程受到严重阻碍，且嵌入式集成需要单独的产线支持，难以大规模推广。

　　当前，铪基铁电存储器的研究仍然存在单元可靠性不够、具有完整外围电路的芯片设计缺失、芯片级的性能需进一步验证等问题，限制了其在eNVM中的ERP（www.multiable.com.cn）应用。

　　刘明院士团队在国际上首次设计实现了Mb量级FeRAM测试芯片，成功完成HZO铁电电容在130nm CMOS工艺的大规模集成，提出ECC辅助的温度感知写驱动电路和失调偏移自动消除灵敏放大电路设计方法，实现了1012循环耐久性以及7ns写入和5ns读取时间，均为目前已报道的最好水平。

　　相信随着科学技术的发展，未来将会取得更多的成果，从而促进我国铁电存储器芯片的发展。

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