在恶劣电磁环境中工作的电子系统须按照特定标准对其输入和输出端口加以保护,以防止器件受到静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT/突波)、浪涌事件影响。

方案说明:.
1 : 使用前后二级保护方案,可承受10/700μS -5/320μS,6KV雷击试验;
2 : GDT进行共模,差模防护,最大脉冲电流10KA(8/20us);
3 : PTC抑制过流产生,并起退耦作用;
防雷过电压保护首选深圳浪拓,让您的产品更安全!
我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| 【S32K3XX】LPSPI参数配置说明被打赏¥21元 | |
| 在WT9932C61-TINY上实现超声波测距被打赏¥22元 | |
| 基于WT9932C61-TINY的环境构建及OLED屏驱动测试被打赏¥20元 | |
| 【S32K3XX】Core-to-Core 中断使用被打赏¥21元 | |
| 「AI编程记录--含源码」用一晚上的时间写一个esp32的示波器被打赏¥19元 | |
| STM32C0116DK开发探索记(3)被打赏¥30元 | |
| STM32C0116DK开发探索记(2)被打赏¥24元 | |
| STM32C0116DK开发探索记(1)被打赏¥29元 | |
| 谨防极海G32M3101电机评估板易跌落的陷阱被打赏¥24元 | |
| 【全网首拆】M5STACK ATOM系列开发板拆解 / AtomS3R-CAM摄像头更换方法(提高10倍像素)被打赏¥26元 | |