这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » PCB与EMC » 低压直流浪涌的整改案例?|深圳比创达EMC(下)

共1条 1/1 1 跳转至

低压直流浪涌的整改案例?|深圳比创达EMC(下)

菜鸟
2023-08-23 15:54:35     打赏

低压直流浪涌的整改案例?相信不少人是有疑问的,今天就跟大家解答一下!

针对市面上各种快充型手机,其适配器输出的常规电压为5V DC,但若采用高压大电流或者高压低电流的快充模式,最高输入电压有可能达到20V DC以上。另外,USB充电头在插拔瞬间也易产生一些强干扰脉冲注入到端口中;因此,有必要对手机的相应端口进行耐压能力的评估测试。

在比创达的日常工作中,低压浪涌类测试整改项目也是最常见的项目之一;因端口防护设计不良造成的失效也是多种多样,包括IC芯片烧毁、产品关机/复位、端口器件烧毁等。

经过经验丰富的现场整改工程师定位整改后,绝大部分产品均能通过最优方案解决浪涌失效问题,那么低压直流浪涌的整改案例?接下来就跟着深圳比创达EMC小编一起来看下吧!

一、比创达整改案例

某TWS充电仓要求满足差模100V浪涌测试,40V注入无异常,但在50V注入时就出现了充电指示灯熄灭、无充电电流输入的异常:

定位分析发现:产品Type-C输入的最高电压为20V、同时后级被保护芯片的耐压为28V(根据多年的整改经验,一般被保护模块能承受的浪涌冲击电压是其直流耐压的1.4~1.5倍左右,即本款产品芯片应能承受40V左右的耐压,实际测试结果40V OK、50V Fail也说明了这一问题);所以选择的防护器件要保证反向截止电压大于20V、同时钳位电压务必要小于40V。

综合考量及现场实测,最终选择了22V防浪涌器件(BTRSF22A401,其规格参数如图5),其残压较低,保证不会烧毁芯片(选用其他高耐压的器件,虽然器件本身未被损坏,但因钳位会比较高,烧毁了几次芯片):

图1 BTRSF22A401器件参数

最终的解决方案为:如图6,Type-C输入的VCC对地加防浪涌器件。

经过整改,产品最终通过100V等级测试,复测验证多次均无异常。

图2 Type-C接口防护

二、总结

1、低压浪涌防护也是以泄放、钳位为主要手段,器件主要用TVS和TSS;

2、器件选型时需注意确保残压对后级被保护电路的影响同时,要注意端口自身的耐压;即保证被保护的模块得到保护的同时,也要保证防护器件本身不易损坏。

综上所述,相信通过本文的描述,各位对低压直流浪涌的整改案例都有一定了解了吧,有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这,下次给各位讲解些别的内容,咱们下回见啦!

以上小编给您介绍的低压直流浪涌的整改案例的内容,希望大家看后有所帮助!




关键词: 深圳比创达EMC     EMC     EMI     低压直流浪涌    

共1条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]