请教一下,怎么分析使用SiC可以简化成三相全桥,谢谢!
SiC器件拓扑
Si器件拓扑
si器件常规的都是650V左右的耐压,所以早期的前端三相PFC用的是维也纳整流(三电平,MOS管耐压低)维也纳只能单向整流(AC到DC)SIC器件耐压1200V,做三相PFC耐压轻轻松松,不用选用三电平,直接普通两电平可以解决,同时三相两电平支持双向整流(AC到DC DC到AC),在现在双向电源上面运用相当成熟,SIC器件成本也降了不少,所以很多电源模块也开始用两电平的三相逆变拓扑去替换之前的维也纳整流;