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体现 IGBT 工作原理的等效电路和结构截面图：

当向（发）（射）极施加正的集电极电压 VCE，同时向（发）（射）极施加正的栅极电压 VGE 时，IGBT 变为导通状态，集电极和（发）（射）极之间导通，流过集电极电流 IC。将这个动作对应于等效电路时，即当施加正 VGE 时，Nch MOSFET 导通，这会使基极电流 IB 流过 PNP 晶体管，最终，PNP 晶体管导通，从而使 IC 从 IGBT 的集电极流向（发）（射）极的。

结构截面图中显示了内部电子和空穴（电洞）的运动情况。当向栅极施加正 VGE 时，电子⊖聚集在栅极电极正下方的P+层中并形成沟道。这与 MOSFET 导通的原理基本相同。因此，从 IGBT 的（发）（射）极供给的电子沿 N+层⇒沟道⇒ N-漂移层 ⇒ P+集电极层的方向移动。而空穴（电洞）⊕则由P+集电极层注入 N-漂移层。该层之所以被称为“漂移层”，是因为电子和空穴两者的载流子都会移动。也就是说，电子从（发）（射）极向集电极的移动意味着电流（IC）从集电极流向（发）（射）极。