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在LLC谐振转换器中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选择对于整个电路的性能和效率至关重要。以下是在选择MOSFET结构时需要考虑的一些关键因素：

1. 功率需求：首先，你需要根据应用场景的功率需求来确定MOSFET的耐压（BVdss）和最大电流（Id）。由于MOSFET的耐压和电流能力直接影响其能否满足电路的需求，因此这是非常重要的第一步。

2. 开关速度：MOSFET的开关速度对于LLC谐振转换器的性能有很大影响。快速开关的MOSFET可以减小开关损耗，提高电源能效。因此，在选择MOSFET时，需要考虑其恢复时间、开启时间和关闭时间等参数。

3. 温度：应用场景的温度也是选择MOSFET时需要考虑的重要因素。在高温环境下，需要选择耐高温的MOSFET，否则可能会导致MOSFET过热损坏。

4. 负载类型：不同的负载类型对MOSFET的需求也不同。例如，电阻性负载需要高电流的MOSFET，而电容性负载需要高速的MOSFET。因此，在选择MOSFET时，需要根据电路需求和实际应用场景来选择合适的沟道类型。

5. 反向恢复时间：在LLC谐振转换器中，为了实现零电压开关（ZVS），功率开关管的寄生体二极管必须具有非常短的反向恢复时间。如果体二极管不能恢复全部载流子，则可能导致硬开关操作并可能导致寄生双极晶体管导通，从而增加开关损耗。

6. RDS(ON)和Eoss：新一代的超级结MOSFET通常具有极低的RDS(ON)（导通电阻）和Eoss（能量损耗），这有助于减小转换器的尺寸并提高电源效率。因此，在选择MOSFET时，这些参数也是需要考虑的。

LLC不仅仅是可以用于半桥，一样可以用于全桥。

LLC 半桥相对于全桥的对比

采用半桥和全桥时，功率元器件及损耗对比见表 。

存在即合理，全桥和半桥作为前级，如下是一个简单的对比(当然是基于使用同样的设计要求和同样的功率元器件来比较):

·半桥上的电流是全桥电流的2倍，这是因为半桥式电路变压器一次电压为±1/2 V，而全桥式电路变压器一次电压为+V，要想输出相同的功率，半桥式电路的输人电流就要是全桥式电路的2倍。但由于半桥上用的MOSFET是全桥的一半，虽然电流加倍，损耗是电流二次方关系，就变成4倍，但总体看来，MOSFET的损耗只有全桥的一半。

·而对于磁性元件(变压器)而言，半桥相对于全桥，只需要一半一次绕组的匝数即可以满足相同的电压增益和磁通摆幅，因此一次绕组的阻抗减半，铜损却仍然还是全桥的2倍，因为一次电流仍然是二次方关系，所以总体来说铜损仍然是全桥的2

倍。·那很明显了，在大功率场合，一次电流也较大，导通损耗占主导的时候，半桥电路已经不太适合了，需要用全桥电路，因为采用半桥电路，一次侧MOSFET的电流应力，变压器绕组的线径需要增加很多，成本、体积均不占优势。同样地，我们可以推广到输出级，输出级采用全波整流或是桥式整流的电路。

输出级采用全波整流或是桥式整流电路：

其采用的器件和损耗对比见表。

输出级采用全波整流或是桥式整流电路：

·全波整流对输出二极管的选择更为严格，其耐压是全波整流的2倍，但是全波整流只需要2个二极管，桥式整流需要4个，因为每个二极管中通过的平均电流是一样的，所以相对于桥式整流，全波整流的二极管总的损耗只有其一半大小。

·全波整流需要2个1:1的二次绕组，因此变压器直流阻抗和桥式整流相比，为2倍。而损耗的话则需要仔细分析一下才能得到，全波整流每一个变压器绕组的电流为桥式整流电流的2倍，故实际总的铜损仍为桥式整流的一半。

·实际上在高压输出应用场合，全波整流的优势还是十分明显的，因为整流二极管的耐压可以选择稍微低点。但是在低压大电流场合，全波整流更常见，因为总的损耗(二极管损耗)要小于桥式整流，而且可以采用同步整流进一步减少此损耗。而对干变压器绕组损耗，大电流一般采用的是铜带绕制，此损耗也大为降低。