电磁兼容保护器件-TSS半导体放电管
TSS特点
l 击穿（导通）前相当于开路，电阻很大，漏电流小，一般为几微安甚至零点几微安；
l 击穿（导通）后相当于短路，TSS管两端电压接近0V，可通过很大的电流最大几百安培，VT压降很小；
l 具有双向对称特性；
l 响应速度都很快，ns 级；
l 击穿电压一致性好；
l 封装有SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,SMB-T,SOD123、DO-15等，目前以SMA,SMB为主流。
TSS的选型技巧：
1. TSS的Vdm（断态峰值电压）应高于被保护电路的最大工作电压；
2. 开关电压VBO必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压；
3. TSS的IPP应大于电路瞬态浪涌电流；
4. 根据PCB布局选用TSS封装结构；
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