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• BUCK型DC-DC

已知前提：

• 输入电压：15V
• 输出电压：3.3V
• MOSFET：IRF6727MpbF
• Ciss=6190pF
• Crss=610pF

MOSFET完全导通时Vgs=4.5V（根据最大RDSon确定）。

输出电压3.3V，要求VGS>7.8V=4.5+3.3V（根据BUCK拓扑确定，可画简图辅助理解）。

假设VGS=10V，要求Tr<100ns，那么Iiss=Ciss*dV/dt=6190pF*10V/100ns=619mA。

MOS管完全导通后，Crss靠近漏极电压由15V降到接近0V，Crss靠近栅极处电压由0V上升到10V。

电压变化量为10V+15V=25V，那么Irss=Crss*dV/dt=610pF*25V/100ns=152.5mA。

因此，栅极电流Ig=Irss+Iiss=772mA。

MOS管的参数很多，大家设计过程中多关注一点，设计就能少出错。MOS管属于压控器件，工作的时候在栅极消耗的电流极小，响应速度和工作效率都远远高于三极管，非常适合DC-DC应用。