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一、存储单元构成

分为高密度版本和低密度版本。低密度版本存储单元由6个晶体管单元构成，高密度版本由4个晶体管单元（高电阻负载型单元）构成。

二、数据的写入方法

写入1时，

1、Word线电位为高电平；

2、给予Bit线的电位(D=低, D=高) → 确定触发器的状态；

3、Word线电位为低。

三、数据的读取方法

当数据为“1”时，

1、使Word线电位 off；

2、对Bit线预充电(D, D与D相同的电位)；

3、Word线电位为高；

4、Bit线变为低、高的状态；

5、用感测放大器进行增幅；

通过触发器电路存储"1"、"0"