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储能作为2024世界太阳能光伏暨储能产业博览会的核心话题，它不仅伴随着可再生能源规模化应用的关键，在新能源领域扮演着越来越重要的角色。

而作为储能系统的核心部件之一，功率半导体器件的选型与质量直接关系到整个系统的性能与可靠性。那么，在储能领域，工程师们应该如何选择IGBT和MOS管呢？

储能系统对功率器件的要求

储能系统通常工作在高压、大电流的环境下，对功率器件的性能和可靠性提出了很高的要求。一般来说，储能系统对IGBT和MOS管有以下几点要求：
1.高耐压。由于储能系统的工作电压较高，因此选用的IGBT和MOS管耐压等级需要匹配，常见的有1200V、1700V等。
2.低导通电阻。导通电阻是影响器件功耗和效率的重要参数，要尽量选择导通电阻较低的器件，以降低损耗。
3.高可靠性。储能系统通常需要长时间连续工作，对器件的可靠性要求非常高。因此需要选用品质优良、抗浪涌能力强的产品。
4.大电流能力。储能系统的功率较大，电流较高。选用的IGBT和MOS管需要有足够的电流驱动能力，以保证系统稳定运行。
5.优良的散热性能。大功率器件工作时会产生大量的热量，因此需要选择具有优良散热性能的封装形式，如TO-247、TO-3P等。

常见的一些储能以及户外电源的应用推荐可见下图：

上述简述一些常见的储能领域产品该如何选择IGBT单管跟MOS管，以及对应的型号建议。
或直接查阅飞虹半导体汇总整理分享的储能领域各类产品的MOS管和IGBT单管应用推荐文章（部分）：

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