这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 基础知识 » 运用双MOSFET避免SEU的影响

共1条 1/1 1 跳转至

运用双MOSFET避免SEU的影响

高工
2024-08-11 18:37:32     打赏
很久很久以前,在一个遥远的星系中,有某个东西突然间爆炸了。其造成的结果是亚原子物质的爆发,而其中的一些物质最终在我们这里找到了出路。

这种情况经常重复出现,而且仍有更多的亚原子物质正朝着这个方向发展。当它们到达时会非常地分散,以至于可以单独地检测到在它们之中的任何一个。遗憾的是,进行这种检测的对象是您巧妙设计到产品中的半导体时,造成的结果被称为“单粒子翻转”(single event upset,SEU)。在某些情况下,它可能造成相当大的破坏。如果您的产品处于地球轨道或在太空中的其他地方快速移动,这一点尤其值得关注。下面,以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在本不应该开启的时候被错误地开启,其结果可能会导致驱动轨电压对接地近乎短路。类似这样的事件可能是灾难性的。如下图所示,这张草图显示的就是这样的一种逆变器,但它具有保护功能,能够避免因单粒子翻转而造成的灾难。

image.png

(每个标示的“X”表示MOSFET正经历一次单粒子翻转)无论哪一个MOSFET因单粒子翻转而导通,其余三个开关位置都将保持开关状态,直到受到冲击的MOSFET开关位置恢复正常。在此电路中,单粒子翻转将会暂时干扰变压器驱动平衡,但并不至于对+Vcc轨造成潜在的灾难性下拉。因为,受影响的MOSFET的配套MOSFET可以维持预期的开关状态。





关键词: MOSFET     避免     SEU    

共1条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]