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载流子的流向，电子由负往正，空穴由正奔负，跟正反偏无关，能流通与否，只视乎起步点和一个附加条件。 

实际上，造成单向电导现像的，是本地载流子，当PN结正偏时，电源电荷流向跟二极体载流子的法则脗合，载流子顺势而动，

PN结若反偏，则两种载流子 背道而驰，紧贴物理结面两侧的区域被抽空，接下来，外围的载流子亦告动弹不得，而电源内的电荷因没有属性脗合的载流子当「跳板」而无法「进场」，那就令二极体无法导电，反向耐压就是这样建立的；但有一点必须认清，如果整个二极体的载流子全被电源抽走，阻断能力即告丧失 (这就是穿通) ！！！

题头图中，有四颗以箭头标示，紧挨着二极体端子的载流子，

这四颗载流子的属性跟电源极性脗合，可穿越物理结面「环游世界」，

P型半导体不含电子，N型半导体没有空穴，所以，这四颗载流子实际上不是少数，而是根本就不该存在 (亦无法从电源直接注入) ！！ 

不过，一旦有合适的环境条件，少数载流子就可出现，在二极体跟其端子之间加插外延层，就能为少数载流子提供跳板，

因为，外延层的型别跟电源极性正好是适配的，所以，少数载流子就能从外延层源源不断的发射出来，如果外延层跟物理结面的距离小于射程范围，少数载流子就能轻松地穿越结区漂向彼岸，

PN结势垒不是一扇门或一堵墙，而是一道斜坡或阶梯，对少数载流子而言反而是下坡路 (这就是我对 漂移比扩散更容易 的理解)。

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硅，掺杂了才有PN之分，掺杂了才能成为可控导体，

杂质是死的，载流子是活的，不管正向反向都能动，都可通，但真个要跑起来，却得让PN结正偏才行，

图中这二极体，N正P负，PN结是反偏的，自身的载流子是「静止」的，如果我在两端都敷设外延层，这货就成了 肖克利二极管，而且是正常馈电！

对此二极体而言，外延层不是自家人，但它跟电源的关系，却是正偏，层中的载流子是能走出去的，由于外延层的型别跟宿主相反，所以这些「客席载流子」甫一出门，是以 少数载流子 的身份登场的，

外延层，相当于真空管发射电子束的灯丝，而空乏区和那些动弹不得的本地载流子，对客席 (少数) 载流子而言，相当于管内的超高真空世界，少子身处其中，根本不会受到甚么 反向阻断，而是仿如活在良导体里，完全是无障碍通行！

PN结，是紧挨物理结面的小区域，但是，PN结是不允许直接使用的，必须以足够的空间作「大后方」为辅佐，才能造成二极管，

二极体的反向耐压，就是由空乏区与大后方里的本地载流子 合力营造的，只要本地载流子没被清空，阻断能力就永远存在 (对客席载流子无效)，

当电源电压超过PN结的耐压，PN结就以「击穿」的形式导通，如果把电流限制住，则二极体不会因击穿而损坏，並且一直保持等于耐压的压降，这效果正正就是 稳压管稳压作用的来由，

击穿、光电、光伏，其实都是 复合的逆过程，这逆过程是发生于空乏区内的，当电源电压超过PN结的耐压时，空乏区内就凭空冒出大量泡泡，仿如开了瓶的炭酸饮料那样，

击穿后形成的电流，就是由这些「泡泡」搭载的，电子空穴对的发生机制，有 雪崩及齐纳 两种，书本写的老师教的，对我而言不好懂，以我的理解，雪崩相当于「压碎」，齐纳则相当于「撕裂」。

在足以让 PN结建立成功并且能够正常运作 的前提下，半导体掺杂的程度愈小，PN结的耐压反而愈高，若在物理结面内的那一层是痕量掺杂，这结就成为PIN结，

绝缘体一旦击穿，分子结构就立马被破坏，材料会皲裂或焦糊，但PN结 如果预先设立限流措施，则可正常载流，断电后能够无损恢复，这是因为，复合的逆过程 (在限流的情况下) 对材料的分子结构不会有任何影响。

哥耐的不是压，是场强！

绝缘体的耐压，是跟厚度成正比的，差别不过在于这正比是否线性而矣，

水若超纯亦绝缘，硅也像水，纯淨时也近乎绝缘，但是，金刚石与特氟龙的绝缘能力更胜于硅 (忽发奇想，金刚石有望成为高端半导体，特氟龙、石蜡、克压力、超纯水冰，能捣鼓出PN结来不)，

那么你觉得，薄如皂泡的纯硅片子，扛的电压能有多高，而掺杂肯定只会令绝缘能力更弱，半导体元件能抗千伏高压，只能赞叹 势垒电场之伟力是何等的强大！

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绝缘体一旦崩坏，就立即伤及本源 (分子的键结)，不可控、不可逆，

而PN结的限流「击穿」，却呈现恒压特性，而且，撤电即可复原，不留痕迹与隐患，

半导体有别于贫导体 (贫导体只能当电阻)，半导体的导电能力可变，变幅可以颇大，这表明那些成键电子并没被永久套牢，而是在某些条件下可以松绑，甚至可像金属那样自由移动，分子架构不会因载流子的「滑脱」而受损。