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MOS管在开启过程中的米勒效应是一种在高频工作状态下出现的特殊现象，如下：

米勒效应的影响

开启延时增加：

由于米勒平台的存在，MOS管的导通过程被延长，导致开启延时增加。这对于需要快速响应的电路系统来说是不利的。

功耗增大：

在米勒平台期间，虽然栅极电压保持不变，但漏极电流已经开始增加，这会导致功耗增大。长期以往，会影响MOS管的寿命和稳定性。

信号质量下降：

米勒效应会导致信号的振荡和反射，从而影响信号的传输质量和稳定性。在高速电路中，这种影响尤为明显。

设计复杂度增加：

为了应对米勒效应带来的问题，工程师需要在电路设计中增加额外的元件或调整电路参数，这无疑增加了设计的复杂度和成本。

优化MOS管尺寸和材料：

通过调整MOS管的尺寸和材料，可以控制输入电阻的变化范围，从而减轻米勒效应的影响。

添加缓冲电路：

在MOS管前后添加缓冲电路，可以减小分布电容和电感的影响，提高信号的传输质量和稳定性。

提高驱动电压或减小驱动电阻：

通过增大驱动电流的方式，可以快速充电米勒电容，缩短米勒平台的时间，从而减小开启延时和功耗。但这种方法可能会因为寄生电感引起振荡，需要谨慎使用。

采用先进的制造工艺：

随着半导体制造工艺的不断进步，MOS管的寄生电容可以进一步减小，从而减轻米勒效应的影响。

调整电路元件：

提高MOS管G极的输入串联电阻，阻值越大，开关速度越缓。该电阻阻值一般在1~100欧姆之间，具体值需根据MOS管的特性和工作频率来确定。

在MOS管GS之间并联瓷片电容，一般容量在1nF~10nF之间，具体值需根据实际需求来确定。通过调节电阻和电容值，可以降低充放电时间，减缓开关的边沿速度，特别适合于硬开关电路，有助于消除硬开关引起的振荡。

在ZVS软开关电路中，如UC3875移相电路中，MOS管DS之间往往并联无感CBB小电容，一般容量在10nF以内，不能太大，有利于抑制米勒振荡。同时需注意该电容的发热量，频率更高的时候，需要用云母电容。

在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变化，从而降低米勒振荡。这也是改善EMC的方法之一，但不适合高频率强电流的场合，否则磁珠会因发热过高而失效。

PCB布线时，人为引入布线电感，增长MOS管漏极、源极的PCB布线长度，有利于改善米勒振荡。但布线长度提高后，需要相应考虑MOS管的耐压，严重时需加MOS管吸收电路。

使用MOS管吸收电路，该电路形式多样，应用场合不同，采用的方式也不同。它有利于保护MOS管因关闭时产生过高的电压导致DS击穿，对抑制米勒振荡也有帮助。

关于MOS管开启过程中各阶段的详细描述的整理：

截止区（t1时段）

起始时刻：t1开始

过程描述：V gs （栅源电压）开始上升，而V ds （漏源电压）和I d （漏极电流）保持不变。此时，驱动电流i g 主要为C gs （栅源电容）充电，导致V gs 逐渐上升。

结束条件：V gs 上升到V g(th) （门极开启电压）

MOS管状态：处于截止区

饱和区初期（t2时段）

起始时刻：t2开始

过程描述：MOS管开始导通，以I d 的逐步提升为标志。电流原本由电感流出，经过二极管，然后逐渐转向MOS管流通。

I d 逐步上升，二极管电流逐渐降低，但总电流始终等于电感电流。在此期间，驱动电流仍为C gs 充电。

特点：I d 呈线性增长，至t2结束时，I d 达到电感电流，换流完成。同时，由于di/dt在杂散电感上产生的压降，V ds 略有下降。

MOS管状态：进入饱和区

米勒平台时期

起始时刻：I d 上升至最大（t2结束）过程描述：V gs

在一段时间内几乎维持不变，形成米勒平台。由于MOS管处于饱和区，根据饱和区的转移特性I d =V gs ⋅G m （其中G m 是跨导），只要I d 不变，V gs 就不变。

此时，I d 等于电感电流，且由于处于饱和区，V gs 维持米勒平台的电压。

驱动电流作用：为C gd （栅漏电容）充电（亦可视为放电过程），导致V ds 下降。

Vds下降特点：最初由于超级结的纵向扩散和较小的C gd ，V ds 呈现快速下降趋势；

随后，当纵向扩散完成，转变为横向扩散，C gd 增大，V ds 下降速度逐渐减缓。

线性区（t4开始）

起始条件：当V ds 降至等于此时的V gs −V g(th) 时，MOS管进入线性区。

过程描述：此时，V ds 的大小由R ds ⋅I d 决定（其中R ds 是漏源电阻）。

驱动电流继续为C gs 和C gd 充电。同时，V gs 开始恢复并继续上升，MOS管基本导通。

米勒平台结束：进入线性区后，米勒平台结束。

米勒平台形成的过程:

描述的MOS管在t2时刻进入饱和区后，其转移特性及米勒平台形成机制的重新整理：

t2时刻开始的饱和区行为

在t2时刻，MOS管进入饱和区。此时，MOS管的转移特性公式为：Ich=Vgs⋅Gm

其中，Ich为沟道电流，即DS之间的电流，Vgs为栅源电压，Gm为跨导。

米勒平台形成机制

栅源电容充电与栅压变化：

当驱动电流为栅源电容Cgs充电时，栅源电压Vgs会增加一个小的增量ΔVgs。

沟道电流增加与漏源电容放电：由于Vgs的增加，根据转移特性公式，沟道电流Ich也会增加一个小的增量ΔIch。

由于电路中的总电流已经固定（等于电感电流），因此这部分增加的电流只能由漏源电容Cds放电来提供。

漏源电压下降与栅漏电压变化：随着Cds的放电，漏源电压Vds会下降，因此栅漏电压Vgd（即Vgs−Vds）也会下降。

栅漏电容充电与栅漏电流变化：由于Vgd的下降，栅漏电容Cgd会经历一个充电过程（或者可以视为放电过程的反向），导致栅漏电流igd增加。

这个增加的栅漏电流实际上是从栅极流向漏极的，但在电路中，它表现为栅极电流的减少（因为栅极的总电流ig=igs+igd，而igd的增加会导致igs的减少）。

负反馈过程与米勒平台：由于igs的减少，栅源电容Cgs的充电速度会减慢，从而减缓Vgs的增加速度。这就形成了一个负反馈过程：Vgs的增加导致Ich的增加，进而导致Vds的下降和Vgd的下降，再进而导致igd的增加和igs的减少，最终减缓了Vgs的增加速度。Vgs会在一个特定的电压值附近动态维持，形成米勒平台。

dv/dt 限制当MOS管 DS两端电压迅速上升的时，通过Cgd所产生电流在MOS管GS两端寄生电阻上产生的压降大于开启电压时，会使MOS打开。所以在使用前需要根据实际情况计算相关参数，以保证在各类工况下都不出来MOS误打开的情况。这里面又分三种情况：可以看到通过Cgs和Cgd两个电容分压可得到GS两端电压

所以，最DS极两端里高电压应为：

在低压应用中一般由这个等式即可判定MOS是否会存在误打开的动作高压应用中还需要确定MOS的本身dv/dt 极限。这一特性对应于在外部驱动阻抗为零的理想情况下，设备在不开机的情况下所能承受的最大dv/dt。

这个公式所计算得到的结果在评估MOS在特定应用中的适应性很重要。

实际应用中，还需要考虑驱动的寄生电阻及所外加的驱动电阻。

注意的是MOS管的开启电压是一个与温度正相关的参数，在计算上述公式时要考虑到开启电压随温度的偏移量。

总结：

MOS管在开启过程中会经历截止区、饱和区初期、米勒平台时期和线性区。米勒平台是高频工作下的特殊现象，由栅漏电容Cgd的充放电过程形成负反馈，导致栅源电压Vgs在一段时间内几乎维持不变。

这增加了开启延时和功耗，降低了信号质量，增加了设计复杂度。为减轻米勒效应，可优化MOS管尺寸和材料、添加缓冲电路、提高驱动电压或减小驱动电阻、采用先进制造工艺等。

需注意MOS管的dv/dt限制，以避免在高压或快速电压变化下误开启。在实际应用中，需综合考虑MOS管的特性、电路参数和工作环境，以确保电路的稳定性和性能。米勒效应是MOS管设计中需重点关注的因素之一。