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碳化硅阈值电压漂移的问题怎么解决的?

高工
2024-11-04 20:31:25     打赏

碳化硅阈值电压漂移的问题怎么解决的?


高工
2024-11-04 20:36:22     打赏
2楼

阈值漂移,本质上是栅极氧化层中的缺陷,捕获了不该属于它的电子,氧化层中电子日积月累,就会造成阈值降低。所以要规避这种现象,芯片设计中要改善氧化层的质量。
M1H就是改善了氧化层的质量,实现了方形门极电压操作曲线,也就是说不管什么开关频率,都可以使用负压下限-10V了。


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