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CLMOS是什么？SJ-MOS还是LDMOS？
一般来讲砷化镓的耐压很低，工作频率极高，用于射频通信方面，基本不用于电力电子领域。
硅MOS很常见，从低频到高频都有，从低压到高压也都有，技术成熟，成本低，用作功率开关管时，低压情况下，工作频率能到几百KHz，甚至更高。但是高压情况下（600V以上），受制于击穿电压和导通电阻之间的矛盾，很难再高击穿电压的情况下实现较低的Ron，这个时候会出现另一种硅功率器件-IGBT，适合高压大电流应用。
至于SIC，材料的击穿电压更高，所以漂移区更短，可以在高击穿电压的基础上实现较小的Ron，所以很适合高压应用，性能比IGBT更好（主要是开关损耗更低，开关频率更高），同时SIC的散热比较好，是高压大功率应用的理想器件，但是成本较高。
GaN也属于第三代半导体，寄生电容更小，开关损耗小，特别适合高频工作，目前硅基GaN由于外延层厚度限制，一般击穿电压很难做到900V以上，很适合900V以下追求高工作频率高效率高功率密度的应用。需要注意，氮化镓目前有cascode和P-GaN两种继续路线实现常关型器件，P-GaN的驱动要求很高，同时高温的退化和可靠性存在问题。这两年蓝宝石衬底的GaN逐渐开始出现，由于蓝宝石的绝缘性，能够实现1700V甚至3300V的高压器件，同时寄生电容极低，未来或许在高压领域与SIC存在一定竞争关系。

砷化镓的耐压很低，工作频率极高，用于射频通信方面。

   硅功率器件-IGBT，适合高压大电流应用。硅MOS很常见，从低频到高频都有，从低压到高压也都技术成熟，成本低，低压情况(600V以下）下，工作频率能到几百KHz。

   SiC（碳化硅），材料的击穿电压更高，漂移区更短，可以在高击穿电压的基础上实现较小的Ron，适合高压应用，性能比IGBT更好（主要是开关损耗更低，开关频率更高）。

GaN（氮化镓）属于第三代半导体，寄生电容更小，开关损耗小，适合高频工作。

谢谢分享，学习了。