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MOSFET由栅极、漏极及源极构成，在三极之间存在寄生电容，如下图所示，

一般MOSFET的技术规格中与这些寄生电容相关的参数为表中的Ciss、Coss、Crss三项。在按静态特性与动态特性分别记述的技术规格中，是被分到动态特性中的。这些是影响开关特性的重要参数。

Ciss是输入电容，是栅极-源极间电容Cgs与栅极－漏极间电容Cgd相加的电容，是从输入端看的MOSFET整体的电容。要使MOSFET工作，需要驱动（充电）该电容，因此是探讨输入元件的驱动能力或损耗时的参数。Qg是驱动（充电）Ciss所需的电荷量。

Coss是输出电容，是漏极－源极间电容Cds与栅极-漏极间电容Cgs相加的电容，是输出端的整体电容。当Coss较大时，即使关断栅极，输出端也会有Coss引起的电流，直到输出完全关断是需要时间的。

Crss是栅极－漏极间电容Cgd本身，被称为“反馈电容”或“反向传输电容”。当Crss较大时，即使栅极导通，漏极电流上升慢，关断时下降变慢。也就是说，这是对开关速度影响较大的参数。Qgd是驱动（充电）Crss所需的电荷量。