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这书前三章提及的，其实是开关电源常用的有源器件，

这些有源器件的开关频率与单体运力，受制于 通态压降、二次击穿、存储时间及米勒效应。

隧道二极管、耿氏二极管、肖克利二极管，都是建基于负阻伏安特性的二端子有源器件，

RSD、SOS、DSRD和FID的原理，是PN结本身固有机制的直接运用，先正偏后反偏，透过反向恢复发挥「boost」作用，搞定，谁能比这更傻瓜。

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谢谢分享，学习了。

有源器件，如今夹带逆导二极管的多了去，开关电源用的就更是成了标配， 

在MOSFET中的逆导二极管，名为 体二极管，因为，它是MOSFET自身的一部份， 

MOSFET的结构，跟BJT相若，衬底层，就是BJT基区的延伸，所以，衬底接地的引伸效果，就是 发射结短路， 

想要在MOSFET中建立沟道，单靠栅极是不行的，得靠源极作为回路才有效果，衬底接「地」，接的不是电气地而是源极， 

源极，在BJT中就是射极，发射结是讯号源的负载，如果在BJT中把衬底接「地」，基区就会把讯号源短路了，所以，发射结短路法及衬底接地不能用于BJT，可控硅系列的发射结短路法只能用于没有门极的一端， 

可控硅族类是双稳态器件，自带正反馈机制，电网杂讯会在集电结造成位移电流，在跨导器件中不足为患，但在可控硅中就可能导致误开通，对可控硅而言，体二极管的反向恢复跟电网杂讯造成的位移电流等效，所以我怀疑，逆导可控硅的逆导二极管只能跟可控硅集成，而不能让可控硅兼任，否则，逆导可控硅就可能会变得像个RSD。

开关有先后，电流局部集中，是一切有源器件的问题，

而利用反向恢复替代一般的触发方式，整个管芯的通断可做到既同步且平均，此乃这些二端子脉冲器件的亮点。