在选择用于开关管（如 MOSFET/IGBT）尖峰吸收的电容时，
需根据具体应用场景（拓扑结构、功率等级、开关频率等）综合评估以下关键参数，
以下是详细的
：
一、核心选型依据
1️⃣ 核心作用原理
✅ 目的：吸收开关过程中产生的电压尖峰（由线路寄生电感 L×di/dt 引起），降低开关管 Vds/Vce 应力。
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