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在先进制程的硅片清洗工艺中，湿法清洗与干法清洗各有技术特性，适配场景差异显著，并不存在绝对的“最优解”，而是需要结合制程节点、结构复杂度、污染物类型等核心需求综合判断。以下从技术特性、制程适配性、核心优劣势三个维度，结合先进制程的核心需求，对两种工艺进行系统对比分析：

湿法清洗

技术原理：以液体化学试剂为核心，通过氧化、溶解、蚀刻等化学反应，搭配超声波、兆声波等物理辅助手段，去除硅片表面的颗粒、金属离子、有机物及氧化层，核心工艺包括经典的RCA清洗、稀释氢氟酸清洗，以及高温SPM清洗等。

核心能力：可高效去除微米级至纳米级污染物，对金属离子、氧化层的去除效果尤为突出；通过兆声波技术可实现纳米级颗粒的精准去除，能将表面粗糙度降至Ra<0.2nm，适配对表面平整度要求极高的先进制程。

干法清洗

技术原理：无需液体溶剂，以气相化学反应或高能物理作用为核心，通过等离子体轰击、超临界CO₂溶解、气相氧化等方式去除污染物，主流技术包括等离子体清洗、超临界CO₂清洗、气相清洗。

核心能力：具备无液体残留、可局部选择性清洗的优势，尤其适配高深宽比结构，如3D NAND通孔，以及易被液体损伤的敏感材料；等离子体清洗可高效去除有机物，超临界CO₂清洗能避免液体残留导致的结构损伤，气相清洗结合臭氧与紫外线可实现无接触、低损伤清洗，良率提升幅度显著。

湿法清洗的适配场景

成熟制程与常规结构：在40nm以上的成熟制程中，槽式湿法清洗凭借成本低、产能高的优势，仍是主流选择；即使是先进制程中非高深宽比的常规结构，湿法清洗通过单片式设备升级，仍能保障稳定的清洗效果，单片式清洗可避免槽式清洗的交叉污染，满足先进制程对工艺一致性的严苛要求。

特定污染物的高效去除：针对金属离子、氧化层等污染物，湿法清洗的化学试剂靶向性强，是先进制程中不可替代的环节，可保障后续沉积、蚀刻等工艺的稳定性，对芯片电学性能和良率的保障至关重要。

环保与成本优化后的适配性：随着闭环过滤系统、化学液回收技术的成熟，湿法清洗的环保压力和成本问题逐步缓解，回收率可达98%以上，搭配AI工艺控制，可实现参数精准调控，进一步提升了在先进制程中的适配性。

干法清洗的适配场景

高深宽比与复杂结构：在3D NAND、GAA等先进制程中，硅片结构呈现高深宽比、复杂三维堆叠的特征，湿法清洗易出现液体残留、结构损伤的问题，而超临界CO₂清洗、气相清洗可深入结构内部，实现无残留、无损伤的清洗，是这类复杂结构的唯一可行方案。

敏感材料与无损伤需求：先进制程中，低介电常数材料、超薄栅氧化层等敏感材料易被液体腐蚀或损伤，干法清洗的无接触、低应力特性，可避免对材料的破坏，保障器件结构完整性，等离子体清洗、气相清洗在这类场景中优势显著

先进制程的局部精准清洗：在先进封装、微细图形等场景中，需要对硅片局部区域进行精准清洗，干法清洗的局部选择性可实现定点去污，避免对周边区域的干扰，满足精细化工艺需求。

湿法清洗：优势突出但存在场景局限

核心优势：技术成熟度高，污染物去除全面，对颗粒、金属离子、有机物的去除能力均衡，且成本相对较低；单片式湿法设备搭配AI工艺控制，可实现纳米级精度控制，满足先进制程对洁净度的基础需求。

核心局限：存在液体残留风险，易对高深宽比结构造成损伤，且高危化学品的处理带来环保压力；在5nm以下极端制程中，纳米级颗粒的精准去除需依赖更高频率的兆声波技术，技术突破难度大，适配性受限。

干法清洗：适配高端场景但存在技术短板

核心优势：无液体残留、无接触损伤，适配高深宽比结构和敏感材料，是先进制程中复杂结构清洗的核心方案；环保优势显著，无废液排放，碳足迹较传统湿法降低40%以上，符合绿色制造趋势；可实现局部精准清洗，满足先进制程的精细化需求。

核心局限：技术成熟度相对较低，对部分污染物的去除效率不及湿法，且设备成本高昂，核心部件依赖进口；对工艺参数的精准控制要求极高，操作复杂，维护难度大，在常规场景中的性价比偏低。

制程节点决定核心选择：40nm以上制程以湿法清洗为主；40nm-5nm制程需湿法与干法结合，湿法承担常规污染物去除，干法负责复杂结构和敏感材料的清洗；5nm以下极端制程中，干法清洗在高深宽比结构、局部精准清洗中的核心地位凸显，湿法则聚焦特定污染物的靶向去除。

结构复杂度是关键导向：高深宽比、三维堆叠的复杂结构，必须依赖干法清洗，避免液体残留和结构损伤；常规平面结构或低复杂度结构，湿法清洗的性价比和稳定性更优。

工艺融合是必然趋势：先进制程的硅片清洗，已不再是单一工艺的选择，而是湿法与干法的深度融合。通过湿法实现全面去污，干法解决结构适配和无损伤需求，搭配AI智能控制、闭环回收等技术，兼顾洁净度、效率、环保与成本，才能满足先进制程对清洗工艺的极致要求。

湿法清洗仍是先进制程的基础工艺，干法清洗是复杂结构和极端制程的核心补充，两者并非替代关系，而是协同互补的伙伴关系，共同构成先进制程硅片清洗的完整技术体系。