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瑞萨科技公司(Renesas Technology)日前宣布，由于对1Gb AG-AND闪存的需求与日俱增，为了增加1Gb AG-AND的生产，今后将采用代工(Foundry)方式来提高该生产系统。 瑞萨科技表示，数字照相机生产规模的不断扩展及象素计数的快速增加，导致了对用于数据储存的AND闪存需求的飞速增长。同时，对新的应用领域的需求也快速增长，诸如用于个人电脑的可重写USB和用于移动电话的可选择存储器等。 瑞萨科技指出，在2004财政年度内，瑞萨科技公司对1Gb AG-AND闪存的主要生产基地―其100%的独资公司“Trecenti 技术公司(TTI)”投资250亿日元，以增加该产品的生产能力。 为了增加1Gb AG-AND闪存的生产，除了扩大TTI的生产能力之外，瑞萨科技公司还同台湾地区的力晶半导体(Powerchip Semiconductor)公司签定了合同， 将130nm的1Gb AG-AND的设计标准产品外包给该公司，并计划在2004年上半年开始大规模生产。这一举措将在2004年财政年度中增加月生产能力，从目前的180万单位增加到500万单位。 瑞萨科技还计划要求在2004年分阶段引进和大规模生产4Gb 90nm设计标准产品以及在2006年生产8Gb产品。 据了解，AG-AND(Assist Gate-AND)是一种由瑞萨科技公司开发出来的闪存细胞。细胞结构采用了瑞萨科技公司独创的区域隔离技术。该技术由各个交互协助门的结合体构成，从而防止了细胞间的干扰和浮动门现象的发生，因而使其拥有更小的细胞面积和高速处理能力。该产品的速度至少比瑞萨科技公司的传统闪存的速度快五倍：通过多水平细胞技术，使闪存达到据称行业内的最快速度(10 MBps)。 此外，瑞萨科技介绍说，通过采用130nm处理和多水平细胞技术，使该芯片面积得到缩小。与瑞萨科技公司生产的512Mb AND闪存相比，该芯片的面积减少了20%。