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日本和韩国为争夺在闪存技术领域的领先地位而激烈竞争，目前天平开始倾向于日本。代表日方出场的是闪存单元发明者东芝(Toshiba)，其芯片销售收入为73亿美元，该公司采用90纳米工艺生产出了4Gb的多层单元NAND芯片，期望获得本回合的胜利。代表韩国出场的是三星电子(Samsung Electronics)，芯片销售收入达104亿美元，号称亚洲的英特尔(Intel)。 东芝声称，它的多层单元(MLC)技术可以用于NAND芯存芯片市场中的多数应用。三星毫不相让，认为单层单元技术速度更快，而且更便宜，因为它已在采用90纳米工艺批量生产2Gb芯片。 “不久以前，他们说MLC技术不值得多数应用采用，这有点夸张。”东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components Inc.)内存产品业务拓展经理Scott Nelson表示。“我们曾努力解决读/写周期问题，这个问题解决后，他们又说MLC的性能不足以满足市场的需求。” 几个月以前，东芝主要使用0.17微米工艺生产其MLC芯片，当时实际上处于守势。但是现在，该公司可能取得了优势。它在4月份推出了90纳米4it MLC NAND芯片，据称比三星最好的产品还胜一筹。东芝表示，通过把page容量扩大三倍，上述芯片的写速度提高了七倍，Programming时间缩短了近一半。 市场研究公司Semico Research的闪存分析师Jim Handy表示：“除非应用于高分辨率的相机，或者想在短期内连续拍摄大量照片，否则采用MLC闪存不会有太大区别。” Nelson表示，东芝也生产SLC NAND，供应高级用户(power user)。而三星也计划在2005年推出自己的MLC芯片。这也许会结束双方在SLC与MLC技术方面的争论，从而使市场不再为谁的可靠性和性能更好而感到困惑。但Handy表示：“这种争论可能不会落幕。”