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在日前举行的Gartner Dataquest会议上，与会者普遍预期DRAM产业两年内将再度面临急剧下滑的局面，届时该产业的增长速度将大幅下降，从而在未来几年内改变市场格局。Gartner Dataquest的市场分析师Andrew Norwood表示：“在以兆字节计算的DRAM市场增长率下降之际，厂商纷纷改变策略，那种不惜代价地争夺DRAM市场份额的方式已经行不通了。厂商必须打入其它产品领域，使其产品多元化，更加重视销售收入或者利润，这样才能获得成功。” Norwood指出，按比特计算，DRAM产业的历史年增长率为70%，每年成本下降32%，该市场的长期增长率为15%。“随着按比特计算的增长率下降，长期销售额增长速度也会放缓，可能降至3%。”他说，“长期来看，47.2%的比特增长率相当于市场增长率为零。” DRAM供应商的中期问题将出在2006年，Norwood预测届时销售收入将衰退31%，2007和2008年将恢复增长。目前有些厂商正在积极增加新的产能，他推测英飞凌、南亚科技(Nanya)、Elpida和力晶(Powerchip)将在2005年第四季度以前提高产能，届时增产幅度将从165%提高到将近300%，“它们试图通过增加产能来扩大市场份额。”Norwood说道。随着新增产能陆续投产，DRAM产业放缓实际上将从今年底及明年初开始。 另一个趋势是，由于看好NAND在移动应用市场的前景，传统DRAM厂商大规模进入该市场。 当产业的增长速度开始下降的时候，DRAM厂商该怎么办呢？美光公司的全球销售副总裁Michael Sadler表示，面对上述前景，关键是寻找新的市场，他说：“PC领域已经发展成为一个十分成熟的市场。目前我们要做的是开发和生产新产品，打入能够创造最大效益的市场，而不是仅仅降低单位比特成本。但这不是说降低单位本特成本并不重要。” 目前美光正在投资于NAND闪存业务，以期在数据存储领域创造更多收入。该公司首席执行官兼总裁Steve Appleton指出目前NAND闪存的使用就好像25年前的DRAM一样：“25年来DRAM占据着统治地位，市场份额达80%，我相信NAND闪存也将会是如此。”该公司网络和通讯产品集团副总裁Jan du Preez指出美光已经不再把自己局限在PC和网络基础设施存储器方案供应商的范围，公司还将为手持式产品提供包括PSRAM、NAND/NOR闪存和CMOS影像传感器在内的一揽子存储解决方案，他说:“我们传统的强项是DRAM，不过我们最近展开了一系列努力，希望在非易失性存储器市场上占有一席之地，例如闪存和CMOS影像传感存储器等。” “主要的DRAM厂商对这一发展前景无不心动，无论是三星、英飞凌、Hynix还是美光，进入NAND闪存市场势在必行。从技术来看，DRAM的制造线也很容易进行重新设置以生产NAND闪存，因此我们没有理由把自己排除在这一潮流之外。”Preez表示。一些业内人士相信，NAND闪存正在取代DRAM成为整个存储器工业发展的技术动力。三星电子存储器事业部高级应用主管SeokHeon Lee甚至表示，未来只有NAND闪存才能够在真正意义上继续符合“摩尔定律”所要求的发展速度。SeokHeon Lee解释说：“传统上，移动应用存储器的配置是单MCU系统采用NOR闪存存放并执行代码而NAND闪存则存放数据，而未来的发展趋势是代码和数据可以统一存放在NAND闪存中，同时配合大容量、低功耗DRAM以运行功能丰富的移动式操作系统。” Preez则表示，美光也和三星一样在研究如何扩展NAND的架构使之同时适合数据和指令存储的应用。在美光针对移动通讯应用的存储器清单中，还包括低功耗闪存(NOR)，CellularRAM(属于PSRAM家族)、CMOS影像传感器以及把闪存和PSRAM封装在一起的MCP产品。Preez表示：“所有这些产品加起来，我们可以成为手持式产品中存储器解决方案的一站式供应商。”Preez预测在2006年以前，支持大容量和高流量音视频应用的3G手机将逐渐成为市场的主流。“这些融合了PDA、媒体播放机的3G手机将可以运行办公软件、浏览互联网、进行音视频播放和玩交互游戏。其通讯带宽有望最高达到2Mbps，而所需的NAND/NOR(数据/指令)容量将在256~512MB之间，RAM的存储容量则在64~256MB之间。存储器总线吞吐量有望超过150MB/s。”他说。 MRAM和FeRAM的前景十分光明 英飞凌公司最近透露了他们正在开发的一系列旨在替代已有技术的最新存储器技术，以应对DRAM市场即将出现的衰退，该公司存储产品业务部首席技术官Wilhelm Beinvogl表示他们正在尝试各种解决方案，从磁阻(MRAM)和铁电随机存储器(FeRAM)到静态实验性传导桥接RAM(CBRAM)、相变RAM（PCRAM）和有机RAM等等。 在英飞凌研究的各种技术中，MRAM和FeRAM似乎是最有前途的。目前英飞凌和IBM已经联合开发出了容量为16Mb的MRAM展示样品，其单元尺寸只有1.42平方微米，采用0.18微米CMOS工艺制造，需要3个特殊的MRAM掩模层和三个铜层。这两家合作开发伙伴宣称，这种16Mb MRAM是业界单元尺寸最小、工艺最简单且密度最高的兆级MRAM。IBM MRAM设计经理John DeBrosse透露这种16Mb MRAM展示品的平均写入时间相当短，仅为30ns，功耗则是80mW，他们正在努力在写入电流方面取得更大的进展，包括材料和电路设计的改进。但Beinvogl提醒说，16Mb MRAM的每位成本相比现今最高密度的DRAM或NAND闪存仍要高出很多。要使MRAM成为实用的通用存储器，必须在今后两年做进一步的调试、提高良品率并进一步缩小单元尺寸。 在对FeRAM进行了8年的投资之后，英飞凌打算通过引入新的垂直电容将FeRAM带入主流市场。传统的FeRAM设计采用的是二维平面电容，而英飞凌选用了倾斜角成90度的垂直电容，据说这样可以获得更小单元尺寸和更高的密度。Beinvogl说：“垂直电容架构可以算是一种‘革命性的方法’，我们希望借此改变FeRAM的规则。” 英飞凌的MRAM和FeRAM项目已经到了展示样品阶段，而CBRAM、PCRAM和有机RAM则仍处于较早的试验或测试芯片阶段。英飞凌在去年圣地亚哥举行的非易失性存储器技术研讨会上演示了CBRAM的可调行为，而且已经开发出了CBRAM的测试芯片，据Beinvogl透露，从试验的第一阶段看，其电气性能、耐用性和可调行为都非常“有前途”。 尽管世界上最大的存储器生产商三星电子有限公司已经发表了许多关于PCRAM的技术论文，但PCRAM对英飞凌来说还比较陌生，Beinvogl表示：“对PCRAM(其写操作通过电阻发热触发)的内部模拟使我们消除了对PCRAM阻热的许多顾虑，因为需要限制热量范围以防止对相邻单元的伤害。随着对PCRAM兴趣的普遍增加，我们对PCRAM的信心也更高了。”Beinvogl透露，英飞凌很快将宣布在德国以外地区开展有关PCRAM的更大型合作项目。 Beinvogl认为，新兴存储器技术的最大挑战在于“它们不仅需要完善自我，更要赶上已有存储器技术的发展。”但也有厂商表示将会专著在DRAM业务方面，南亚科技的总裁Ken Hurley表示：“我们试图稳定和发展我们的DRAM业务，那种产品多元化策略并不符合我们的最佳利益模式。”