NEC和NEC Electronics公司宣布开发出新款栅层叠(gate stack)结构晶体管产品。这种结构采用了一种基于铪(Hf)的高介电率(high-k)材料和金属栅极，能够明显抑制栅极电流的泄漏，并提高晶体管的工作速率。 该产品以硅镍化合物取代了传统中的多晶硅(poly-Si)作为高k栅极材料，在保持栅极低泄漏的条件下，将电流可操作性提高了20%。与多晶硅高k栅极和多晶硅/二氧化硅栅极相比，其栅极泄漏分别为前两者的1%和1/100,000。 此外，由于这种合成控制硅化镍栅极电极技术的开发成功，以及与基于Hf的高介电率材料的组合，通过改变硅化镍的合金材料的成份，即可实现宽泛的阈值电压(Vth)。该项技术还有利于优化PMOS和NMOS晶体管的开关特性。 这种新型晶体管还具有阈下电流、载流子迁移和栅极漏流低等特点。