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2410 NAND BOOT调试总结：
硬件配置：S3C2410A；64MB SDRAM；64MB NAND Flash；UART串口
软件配置：在目标板上不使用操作系统。
开发环境：ADS1.2；烧写NAND FLASH的ARM程序(用AXD执行)；PC上的串口发送程序（传送BIN文件到目标板）
工作目标：
做一个boot程序，烧写到NAND中，实现以下功能：
能够从串口下载应用程序到NAND FLASH。
能够从NAND FLASH启动应用程序。
背景：
以前在44B0上做过相同功能的boot程序，主要区别是使用NOR FLASH。
2410包含NAND Flash控制器，可以通过访问特殊功能寄存器（SFR）的方式访问 NAND；并提供ECC校验码生成。
2410提供NAND BOOT模式：
复位时，如果OM[0:1]管脚为'00'，则进入该模式。
复位后，从NAND的第0块，通过NAND控制器，拷贝4KB到内部boot SRAM。
boot SRAM被映射到GCS0。
执行boot SRAM中的代码，该代码可以用来从NAND搬移程序到SDRAM并执行。
NAND器件的特性：
以页为单位进行读写（类似硬盘）。每页为512字节。
每页在512字节之外，可以保存该页的ECC校验码和坏块标志等。
存在坏块和位反转问题，至少比NOR严重。
READ速度比NOR略慢；ERASE和PROGRAM速度远快于NOR。
2410的NAND控制器提供了ECC生成功能，能实现检错，但是纠错要由软件来实现。
厂商保证第0块不是坏块。

基本方案：
采用两级boot模式。
一级boot放在NAND的第0块，不超过4KB；在boot SRAM执行；实现二级boot的搬移功能（从NAND到SDRAM）。
二级boot在SDRAM执行，提供三种工作模式（可使用跳线或串口来选择）：
AXD调试模式。
下载模式：与PC程序通讯，从串口获取应用程序BIN文件；将应用程序写入NAND。
启动模式：搬移NAND中的应用程序到SDRAM，并执行。

要点总结：
UART中断：
2410的串口中断采用两级中断模式。即在UART ISR中，检查SUBPEND标志，以确定真正的中断源。
NAND的坏块和位反转策略。
在器件手册中提供了如何确认坏块，一般在ERASE和PROGRAM之后检测。
写入应用程序时，如果遇到坏块，标记并跳过该块。
读出时，如果遇到坏块，跳过该块。
如果ECC校验失败，告警但不处理（暂时没有ECC纠错算法）。
在调试中，没有遇到坏块和ECC校验失败的情况。
存储映射：
一级boot：RO为0x0，RW不设置（紧跟RO）。
二级boot：RO为0x30e00000，RW为0x31000000。
应用程序：RO为0x30000000，RW为0x31000000。

题外话：在编写嵌入式软件时，可以不使用操作系统，但应掌握和应用操作系统的思想。