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美国摩托罗拉公司将在本周于美国召开的半导体技术国际学会“2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits” 上，发表首次将存储容量提高到1Mbit的非挥发性存储器MRAM（磁阻随机存取存储器，magnetic random access memory）。此前在学会发表的最大容量MRAM为同样由摩托罗拉公司于2002年2月发表的256kbit产品。 在该公司此次发表的MRAM中值得特书大书的并不仅仅是存储容量，配合使用铜布线技术也属全球首创。该公司将 MRAM定位于逻辑LSI混载用途，所以认为必须尽早支持高速逻辑LSI中正日益普及的铜布线。另外，为了减少写入时的耗电量，在写入线路中采用了磁束集中结构。通过将用于写入的2条线路（比特线和字节线）分别用磁性体包住，即使在微小的写入电流值下也能高效地向存储单元提供磁场。基此，与原有产品相比，可以将写入时的耗电量降低到1/4。 此次发表的1Mbit产品的存储单元为1个晶体管+1个 MTJ元件构造。读出/写入的周期时间不足50ns。使用0.6μm规格的CMOS 技术，在200mm晶圆上加工。字节结构为64k×16bit。 该公司计划以此次发布的技术为契机，实现当初预定的2003年供应工业样品、2004年开始量产的设想。初步拟定将MRAM使用于手机、PDA、笔记本电脑、台式个人电脑、汽车等中。该公司认为，如果使用MRAM，就可以开发无需硬盘装置的计算机以及可以将目前手机上不得已而分开配备的闪存EEPROM、SRAM、DRAM等存储器集成于单个MRAM 芯片中。预计今后MRAM将在提高设备的易用性及减少零部件成本方面发挥重要的作用。