EEPW论坛

问   我在使用IFR540功率MOS管做开关的时候，出现两个问题：
1 在接栅驱动电压（3.3v)和漏源电压(12v)后，IRF540导通，测漏源两极的电压有4V，但是IRF540的导通电阻只有44毫欧姆，电流为1A时也没有这么大啊？
2 在没有接栅驱动电压的时候，IRF540也是导通的，还随着漏源电压的增大，负载的电压也增大，且栅源间的电压也增大。
  在IRF540的栅源两极我并联了一个10欧姆的电阻，且还在栅极接了一个47欧姆的电阻，IRF540有电荷也应该可以流走啊？不知道是不是IFR540被击穿了？大家一般是怎样焊接功率MOS管的啊？烙铁没有接地可以吗？
   另外，为了防止静电，是不是一定要在功率MOS管的栅源间接一个栅保护二极管？如果要接的话，是不是要选择快关断的二极管呢？谢谢！ 答 1: re1。   3.3V处于临界导通（或放大）状态，没饱和。
2。   坏了，但并不会那么骄气。 答 2: 在没有接栅驱动电压的时候，IRF540也是导通的   谢谢！（在IRF540的栅源两极我并联了一个10K欧姆的电阻）关键是第二个问题啊，在没有接栅驱动电压的时候，IRF540也是导通的，还随着漏源电压的增大，负载的电压也增大，且栅源间的电压也增大？