问 PNP三极管做开关管，基极通过Rb接到I/O口，集电极接地，发射极通过Re接到Vcc。I/O口输出低电平时，IB怎么计算？查了半天资料，没找到讲PNP的，会不会是  Ib= Vcc /(Rb+ hfe*Re) ？手边没书，请哪位模电没忘的仁兄指教一下。
多谢。 答 1: 计算和NPN其实是一样的不过是PNP的射极接Vcc,而NPN是集电极接Vcc.
计算和楼主说的一样,更精确的应该是Ib=(Vcc-I/O口电压-发射结电压)/[Rb+(1+hfe)Re],发射结电压锗管通常取0.3V,硅管0.7V 答 2: 请教PNP管Ib的计算由于,
1.无论在设计或应用中,精确计算Ib值没有什么意义.
2.另外,因为Hfe值的离散性很大,Ib值没有办法精确.
所以, Ib= Vcc /(Rb+ hfe*Re)这个式子已经够用了. 答 3: re我是用这个PNP管来做开关管，io口输出高电平它截止这肯定没问题，输出低电平时它应该导通，这个我想通过计算Ib和Ic来确定Rb和Re的取值，不知该怎样进行？ 答 4: 不明白楼主要计算Re干什么用要使PNP管饱和导通,应该要计算Rb,Rc才是啊
使得集电极电压高于基极电压就可以在低电平时饱和导通了 答 5: relag3631你好,我的电路是发射极通过Re接到Vcc，集电极直接接地，没有Rc，
这应该不是标准用法。你讲的“基极电压在低电平时饱和导通”输出是高电平吧？主要是不想倒相，昨天下载了个EWB仿真了一下，看起来基本是不会导通输出很好的低电平的，不过好在驱动的CMOS芯片，好像1.5V以下都认作低电平。
不知道可以不？