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问
PNP三极管做开关管,基极通过Rb接到I/O口,集电极接地,发射极通过Re接到Vcc。I/O口输出低电平时,IB怎么计算?查了半天资料,没找到讲PNP的,会不会是 Ib= Vcc /(Rb+ hfe*Re) ?手边没书,请哪位模电没忘的仁兄指教一下。
多谢。 答 1: 计算和NPN其实是一样的不过是PNP的射极接Vcc,而NPN是集电极接Vcc.
计算和楼主说的一样,更精确的应该是Ib=(Vcc-I/O口电压-发射结电压)/[Rb+(1+hfe)Re],发射结电压锗管通常取0.3V,硅管0.7V 答 2: 请教PNP管Ib的计算由于,
1.无论在设计或应用中,精确计算Ib值没有什么意义.
2.另外,因为Hfe值的离散性很大,Ib值没有办法精确.
所以, Ib= Vcc /(Rb+ hfe*Re)这个式子已经够用了. 答 3: re我是用这个PNP管来做开关管,io口输出高电平它截止这肯定没问题,输出低电平时它应该导通,这个我想通过计算Ib和Ic来确定Rb和Re的取值,不知该怎样进行? 答 4: 不明白楼主要计算Re干什么用要使PNP管饱和导通,应该要计算Rb,Rc才是啊
使得集电极电压高于基极电压就可以在低电平时饱和导通了 答 5: relag3631你好,我的电路是发射极通过Re接到Vcc,集电极直接接地,没有Rc,
这应该不是标准用法。你讲的“基极电压在低电平时饱和导通”输出是高电平吧?主要是不想倒相,昨天下载了个EWB仿真了一下,看起来基本是不会导通输出很好的低电平的,不过好在驱动的CMOS芯片,好像1.5V以下都认作低电平。
不知道可以不?
多谢。 答 1: 计算和NPN其实是一样的不过是PNP的射极接Vcc,而NPN是集电极接Vcc.
计算和楼主说的一样,更精确的应该是Ib=(Vcc-I/O口电压-发射结电压)/[Rb+(1+hfe)Re],发射结电压锗管通常取0.3V,硅管0.7V 答 2: 请教PNP管Ib的计算由于,
1.无论在设计或应用中,精确计算Ib值没有什么意义.
2.另外,因为Hfe值的离散性很大,Ib值没有办法精确.
所以, Ib= Vcc /(Rb+ hfe*Re)这个式子已经够用了. 答 3: re我是用这个PNP管来做开关管,io口输出高电平它截止这肯定没问题,输出低电平时它应该导通,这个我想通过计算Ib和Ic来确定Rb和Re的取值,不知该怎样进行? 答 4: 不明白楼主要计算Re干什么用要使PNP管饱和导通,应该要计算Rb,Rc才是啊
使得集电极电压高于基极电压就可以在低电平时饱和导通了 答 5: relag3631你好,我的电路是发射极通过Re接到Vcc,集电极直接接地,没有Rc,
这应该不是标准用法。你讲的“基极电压在低电平时饱和导通”输出是高电平吧?主要是不想倒相,昨天下载了个EWB仿真了一下,看起来基本是不会导通输出很好的低电平的,不过好在驱动的CMOS芯片,好像1.5V以下都认作低电平。
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