共2条
1/1 1 跳转至页
uln2003,CE uln2003的CE饱和压降怎么这么大呢

问
一般晶体管在Ic小电流的时候压降很小,0.3V左右,怎么达灵顿的uln2003的最低饱和电压却要0.5以上呢,有些厂家的2003最低还是0.7V
答 1:
ULN2803也一样,典型压降0.6V如果需要小压降,可以采用NMOS管,小电流压降甚至接近零。
史修栋
答 2: 这与晶体管/MOS管的制造工艺有关另:IC电流小,压降就小的说法是错误的!晶体管压降最小需进入饱和导通态,这需足够大的IC(具体与型号有关),饱和后,只要电流不超管子容限或结温过热,其CE压降变化很小即处于非线性导通态。 答 3: 饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻两种晶体管,原理和特性完全不一样:
三极管:
三极管有基本不变的饱和压降Vsat,所以一定电流范围内,饱和压降基本不变;
MOS管:
MOS管没有饱和压降的概念,只有导通电阻Ron。如果一个MOS管Ron=0.1欧姆,那么通过10mA电流,只有0.001V压降。
结论:
近似的讲,饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻。
史修栋
MSN:shixiudong@hotmail.com 答 4: 根本原因达林顿管由大小两管组成.
大管的基极电压要0.5~0.7v才能导通.
小管的发射极就接在大管的基极上.
两管的集电极接在一起,如果小于0.5~0.7v,
那么小管集电极到发射极间的压降成负数,无法工作 答 5: droum说的容易理解达灵顿管的Vce其实是第一个管子的Vce加上第二个管子的Vbe,即:Vce=Vce1+Vbe2
即使偏置足够大(mA级)、负载足够小(<1mA),Vce大于0.6V也就不起怪了。
史修栋
答 2: 这与晶体管/MOS管的制造工艺有关另:IC电流小,压降就小的说法是错误的!晶体管压降最小需进入饱和导通态,这需足够大的IC(具体与型号有关),饱和后,只要电流不超管子容限或结温过热,其CE压降变化很小即处于非线性导通态。 答 3: 饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻两种晶体管,原理和特性完全不一样:
三极管:
三极管有基本不变的饱和压降Vsat,所以一定电流范围内,饱和压降基本不变;
MOS管:
MOS管没有饱和压降的概念,只有导通电阻Ron。如果一个MOS管Ron=0.1欧姆,那么通过10mA电流,只有0.001V压降。
结论:
近似的讲,饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻。
史修栋
MSN:shixiudong@hotmail.com 答 4: 根本原因达林顿管由大小两管组成.
大管的基极电压要0.5~0.7v才能导通.
小管的发射极就接在大管的基极上.
两管的集电极接在一起,如果小于0.5~0.7v,
那么小管集电极到发射极间的压降成负数,无法工作 答 5: droum说的容易理解达灵顿管的Vce其实是第一个管子的Vce加上第二个管子的Vbe,即:Vce=Vce1+Vbe2
即使偏置足够大(mA级)、负载足够小(<1mA),Vce大于0.6V也就不起怪了。
共2条
1/1 1 跳转至页
回复
有奖活动 | |
---|---|
【EEPW电子工程师创研计划】技术变现通道已开启~ | |
发原创文章 【每月瓜分千元赏金 凭实力攒钱买好礼~】 | |
【EEPW在线】E起听工程师的声音! | |
“我踩过的那些坑”主题活动——第001期 | |
高校联络员开始招募啦!有惊喜!! | |
【工程师专属福利】每天30秒,积分轻松拿!EEPW宠粉打卡计划启动! | |
送您一块开发板,2025年“我要开发板活动”又开始了! | |
打赏了!打赏了!打赏了! |
打赏帖 | |
---|---|
分享汽车通信和多媒体总线结构被打赏20分 | |
【我踩过的那些坑】结构堵孔导致的喇叭无声问题被打赏50分 | |
NUCLEO-U083RC学习历程38+串口通过队列的方式输出两个字符串被打赏20分 | |
【我踩过的那些坑】分享一下调试一款AD芯片的遇到的“坑”被打赏50分 | |
电流检测模块MAX4080S被打赏10分 | |
【我踩过的那些坑】calloc和malloc错误使用导致跑飞问题排查被打赏50分 | |
分享电控悬架的结构与工作原理(一)被打赏20分 | |
多组DCTODC电源方案被打赏50分 | |
【我踩过的那些坑】STM32cubeMX软件的使用过程中的“坑”被打赏50分 | |
新手必看!C语言精华知识:表驱动法被打赏50分 |