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uln2003,CE uln2003的CE饱和压降怎么这么大呢

问
一般晶体管在Ic小电流的时候压降很小,0.3V左右,怎么达灵顿的uln2003的最低饱和电压却要0.5以上呢,有些厂家的2003最低还是0.7V
答 1:
ULN2803也一样,典型压降0.6V如果需要小压降,可以采用NMOS管,小电流压降甚至接近零。
史修栋
答 2: 这与晶体管/MOS管的制造工艺有关另:IC电流小,压降就小的说法是错误的!晶体管压降最小需进入饱和导通态,这需足够大的IC(具体与型号有关),饱和后,只要电流不超管子容限或结温过热,其CE压降变化很小即处于非线性导通态。 答 3: 饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻两种晶体管,原理和特性完全不一样:
三极管:
三极管有基本不变的饱和压降Vsat,所以一定电流范围内,饱和压降基本不变;
MOS管:
MOS管没有饱和压降的概念,只有导通电阻Ron。如果一个MOS管Ron=0.1欧姆,那么通过10mA电流,只有0.001V压降。
结论:
近似的讲,饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻。
史修栋
MSN:shixiudong@hotmail.com 答 4: 根本原因达林顿管由大小两管组成.
大管的基极电压要0.5~0.7v才能导通.
小管的发射极就接在大管的基极上.
两管的集电极接在一起,如果小于0.5~0.7v,
那么小管集电极到发射极间的压降成负数,无法工作 答 5: droum说的容易理解达灵顿管的Vce其实是第一个管子的Vce加上第二个管子的Vbe,即:Vce=Vce1+Vbe2
即使偏置足够大(mA级)、负载足够小(<1mA),Vce大于0.6V也就不起怪了。
史修栋
答 2: 这与晶体管/MOS管的制造工艺有关另:IC电流小,压降就小的说法是错误的!晶体管压降最小需进入饱和导通态,这需足够大的IC(具体与型号有关),饱和后,只要电流不超管子容限或结温过热,其CE压降变化很小即处于非线性导通态。 答 3: 饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻两种晶体管,原理和特性完全不一样:
三极管:
三极管有基本不变的饱和压降Vsat,所以一定电流范围内,饱和压降基本不变;
MOS管:
MOS管没有饱和压降的概念,只有导通电阻Ron。如果一个MOS管Ron=0.1欧姆,那么通过10mA电流,只有0.001V压降。
结论:
近似的讲,饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻。
史修栋
MSN:shixiudong@hotmail.com 答 4: 根本原因达林顿管由大小两管组成.
大管的基极电压要0.5~0.7v才能导通.
小管的发射极就接在大管的基极上.
两管的集电极接在一起,如果小于0.5~0.7v,
那么小管集电极到发射极间的压降成负数,无法工作 答 5: droum说的容易理解达灵顿管的Vce其实是第一个管子的Vce加上第二个管子的Vbe,即:Vce=Vce1+Vbe2
即使偏置足够大(mA级)、负载足够小(<1mA),Vce大于0.6V也就不起怪了。
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