共2条
1/1 1 跳转至页
uln2003,CE uln2003的CE饱和压降怎么这么大呢
问
一般晶体管在Ic小电流的时候压降很小,0.3V左右,怎么达灵顿的uln2003的最低饱和电压却要0.5以上呢,有些厂家的2003最低还是0.7V
答 1:
ULN2803也一样,典型压降0.6V如果需要小压降,可以采用NMOS管,小电流压降甚至接近零。
史修栋
答 2: 这与晶体管/MOS管的制造工艺有关另:IC电流小,压降就小的说法是错误的!晶体管压降最小需进入饱和导通态,这需足够大的IC(具体与型号有关),饱和后,只要电流不超管子容限或结温过热,其CE压降变化很小即处于非线性导通态。 答 3: 饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻两种晶体管,原理和特性完全不一样:
三极管:
三极管有基本不变的饱和压降Vsat,所以一定电流范围内,饱和压降基本不变;
MOS管:
MOS管没有饱和压降的概念,只有导通电阻Ron。如果一个MOS管Ron=0.1欧姆,那么通过10mA电流,只有0.001V压降。
结论:
近似的讲,饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻。
史修栋
MSN:shixiudong@hotmail.com 答 4: 根本原因达林顿管由大小两管组成.
大管的基极电压要0.5~0.7v才能导通.
小管的发射极就接在大管的基极上.
两管的集电极接在一起,如果小于0.5~0.7v,
那么小管集电极到发射极间的压降成负数,无法工作 答 5: droum说的容易理解达灵顿管的Vce其实是第一个管子的Vce加上第二个管子的Vbe,即:Vce=Vce1+Vbe2
即使偏置足够大(mA级)、负载足够小(<1mA),Vce大于0.6V也就不起怪了。
史修栋
答 2: 这与晶体管/MOS管的制造工艺有关另:IC电流小,压降就小的说法是错误的!晶体管压降最小需进入饱和导通态,这需足够大的IC(具体与型号有关),饱和后,只要电流不超管子容限或结温过热,其CE压降变化很小即处于非线性导通态。 答 3: 饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻两种晶体管,原理和特性完全不一样:
三极管:
三极管有基本不变的饱和压降Vsat,所以一定电流范围内,饱和压降基本不变;
MOS管:
MOS管没有饱和压降的概念,只有导通电阻Ron。如果一个MOS管Ron=0.1欧姆,那么通过10mA电流,只有0.001V压降。
结论:
近似的讲,饱和导通以后,三极管像个稳压管,MOS管像个固定电阻。
史修栋
MSN:shixiudong@hotmail.com 答 4: 根本原因达林顿管由大小两管组成.
大管的基极电压要0.5~0.7v才能导通.
小管的发射极就接在大管的基极上.
两管的集电极接在一起,如果小于0.5~0.7v,
那么小管集电极到发射极间的压降成负数,无法工作 答 5: droum说的容易理解达灵顿管的Vce其实是第一个管子的Vce加上第二个管子的Vbe,即:Vce=Vce1+Vbe2
即使偏置足够大(mA级)、负载足够小(<1mA),Vce大于0.6V也就不起怪了。
共2条
1/1 1 跳转至页
回复
有奖活动 | |
---|---|
【有奖活动】分享技术经验,兑换京东卡 | |
话不多说,快进群! | |
请大声喊出:我要开发板! | |
【有奖活动】EEPW网站征稿正在进行时,欢迎踊跃投稿啦 | |
奖!发布技术笔记,技术评测贴换取您心仪的礼品 | |
打赏了!打赏了!打赏了! |
打赏帖 | |
---|---|
与电子爱好者谈读图四被打赏50分 | |
与电子爱好者谈读图二被打赏50分 | |
【FRDM-MCXN947评测】Core1适配运行FreeRtos被打赏50分 | |
【FRDM-MCXN947评测】双核调试被打赏50分 | |
【CPKCORRA8D1B评测】---移植CoreMark被打赏50分 | |
【CPKCORRA8D1B评测】---打开硬件定时器被打赏50分 | |
【FRDM-MCXA156评测】4、CAN loopback模式测试被打赏50分 | |
【CPKcorRA8D1评测】--搭建初始环境被打赏50分 | |
【FRDM-MCXA156评测】3、使用FlexIO模拟UART被打赏50分 | |
【FRDM-MCXA156评测】2、rt-thread MCXA156 BSP制作被打赏50分 |