问 关于N沟道增强型MOS场效应管的工作原理
当uGS=uGS(th),uDS=0时，“在正电场uGS作用下，通过绝缘层产生电场，这个电场排斥P型半导体中的电子，直到uGS=uGS(th),绝缘层下面D S之间形成N型导电沟道”
疑问1:
uGS(th)到底是什么？我现在的理解是和半导体特性相关的特征开启电压。
疑问2：
电场为什么排斥P型半导体中的电子？根据电场方向，我认为应该是吸引。
疑问3：
D、S之间形成N型导电沟道？我的理解：N型导电沟道应该是电子导电，书上说了排斥电子，又怎么会形成N型导电沟道这个反型层呢？
谢谢各位大虾不吝指教！
附图如下：



http://file.21ic.com.cn/upload/img/200511/200512811483077627.jpg
答 1: 图
答 2: 可能是书有误1、Vgs（th）应该是开启电压Vt
2、电场感应的电子
3、反型层是电子，即N型的导电沟道 答 3: 非常感谢！谢谢解答！
电场感应的电子应该是P型衬底中的电子，所以不应该是排斥，是这样吗？
请问图是怎么贴上去的？：） 答 4: To electboy:P型衬底中的多數載流子是空穴，加正电场（即uGS=uGS(th)>0）時，在柵極下排斥P型衬底的多數載流子空穴形成反型層，從而形成導電溝道。。。 答 5: P型半导体中的空穴是不可移动的离子