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MOS 困惑好久的问题-N沟道增强型MOS场效应管

问
关于N沟道增强型MOS场效应管的工作原理
当uGS=uGS(th),uDS=0时,“在正电场uGS作用下,通过绝缘层产生电场,这个电场排斥P型半导体中的电子,直到uGS=uGS(th),绝缘层下面D S之间形成N型导电沟道”
疑问1:
uGS(th)到底是什么?我现在的理解是和半导体特性相关的特征开启电压。
疑问2:
电场为什么排斥P型半导体中的电子?根据电场方向,我认为应该是吸引。
疑问3:
D、S之间形成N型导电沟道?我的理解:N型导电沟道应该是电子导电,书上说了排斥电子,又怎么会形成N型导电沟道这个反型层呢?
谢谢各位大虾不吝指教!
附图如下:
http://file.21ic.com.cn/upload/img/200511/200512811483077627.jpg
答 1: 图
答 2: 可能是书有误1、Vgs(th)应该是开启电压Vt
2、电场感应的电子
3、反型层是电子,即N型的导电沟道 答 3: 非常感谢!谢谢解答!
电场感应的电子应该是P型衬底中的电子,所以不应该是排斥,是这样吗?
请问图是怎么贴上去的?:) 答 4: To electboy:P型衬底中的多數載流子是空穴,加正电场(即uGS=uGS(th)>0)時,在柵極下排斥P型衬底的多數載流子空穴形成反型層,從而形成導電溝道。。。 答 5: P型半导体中的空穴是不可移动的离子
当uGS=uGS(th),uDS=0时,“在正电场uGS作用下,通过绝缘层产生电场,这个电场排斥P型半导体中的电子,直到uGS=uGS(th),绝缘层下面D S之间形成N型导电沟道”
疑问1:
uGS(th)到底是什么?我现在的理解是和半导体特性相关的特征开启电压。
疑问2:
电场为什么排斥P型半导体中的电子?根据电场方向,我认为应该是吸引。
疑问3:
D、S之间形成N型导电沟道?我的理解:N型导电沟道应该是电子导电,书上说了排斥电子,又怎么会形成N型导电沟道这个反型层呢?
谢谢各位大虾不吝指教!
附图如下:
http://file.21ic.com.cn/upload/img/200511/200512811483077627.jpg
答 1: 图

答 2: 可能是书有误1、Vgs(th)应该是开启电压Vt
2、电场感应的电子
3、反型层是电子,即N型的导电沟道 答 3: 非常感谢!谢谢解答!
电场感应的电子应该是P型衬底中的电子,所以不应该是排斥,是这样吗?
请问图是怎么贴上去的?:) 答 4: To electboy:P型衬底中的多數載流子是空穴,加正电场(即uGS=uGS(th)>0)時,在柵極下排斥P型衬底的多數載流子空穴形成反型層,從而形成導電溝道。。。 答 5: P型半导体中的空穴是不可移动的离子
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