共2条
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datasheet datasheet翻译
问
小弟不才,请教大虾们:在对整流二极管1N4007的介绍中,Glass passivate是什么意思?节点到周围环境的热阻(Rthj-tp)的参数以及节点到端点的热阻(Rthj-a)是什么意思?在用二极管时,这个参数要考虑吗?
答 1:
我来回答下Glass passivate英文直译就是"玻璃钝化",一般在半导体工艺是指采用玻璃之类的材料对半导体器件进行保护。我想可能是二极管外面包了层玻璃之类的材料吧。
至于节点到端点和节点到周围的热阻可能你的说法有问题。
我的感觉是:
节点到端点应该是Junction to tp?(英文是什么)(应该是结到PN端点(长脚引出处?))
节点到环境应该是Junction to ambient(结到环境)
这里的“结”就是PN那个结(junction).
热阻(Thermal resistance)反应的是器件在使用过程中的散热情况。热阻大则散热差。
在半导体器件的使用中,PN结的温度是有一定限制的。一般取150C.
Rthj-tp(结到端点)是外部散热条件非常好(热一到端点就被全部吸走)的情况下的热阻。是理想使用条件下的热阻。
Rthj-a就是在实际使用条件下的热阻,它包括了Rthj-tp.单位是C/W.(度/瓦)
结温度的计算公式是
Tj=Ta+P*Rthj-a.
Ta是环境温度,P是二极管上面的功耗(二极管的压降乘以通过的电流)。
如果Rthj-a=60C/W, Ta=25C,则最大功耗是
Pmax=(150-25)/60=2.08W.
如果整流管平均电压是1V,那么经过它的平均电流不能超过2A.
在设计时是要考虑这个参数的。
Rthj-tp是个固定的值,它是由器件本身决定的。
Rthj-a虽然包括Rthj-tp,但是它和外部的散热条件有关系,包括有没有散热器及其大小,有没有吹风或是芯片浸在绝缘的液体里面等等。
答 2: 我明白了!Rthj-tp:themal resistance from junction to tie-point
Rthj-a:thermal resistance from junction to ambient
我终于理解了.
非常感谢!!!
答 3: 呵呵关于功耗问题由于我对交流电不熟悉,但是我感觉峰值功率也可能将器件打坏。
当然,硅的熔点很高,但是局部高温可能熔化器件内部铝导线而导致失效。 答 4: 来得不错原来我对玻璃纯化也是一知半解也够不上受教 答 5: 磁珠与普通电感线圈请教:磁珠和普通电感线圈有什么区别啊?我们在应用他们时应如何选择? 答 6: re二者对高频信号的衰减方式不一样。磁珠是一根导线穿过一个磁环,该磁环对高频信号有吸收作用,而电感是什么就不用说了吧。磁珠只是用来滤除高频干扰的,电感线圈这个电路元件对高频的阻隘作用只是它的一个特性,在用磁珠的场合可以用电感来代替,而电感则不能用磁珠代替。
对磁珠的阻抗搞不大清楚,知道的讲一下。 答 7: 三极管的datasheet我最近在看三极管2N3905的介绍,最大额定值介绍里:Total Device Dissipation @TA=25摄氏度 Derate above 25摄氏度
不知道是什么意思?
请教各位! 答 8: 玻璃钝化是一种半导体工艺不是指外面包的玻璃壳(密封玻璃壳叫做hermetically sealed glass),而是指是对芯片本身进行处理,在需要绝缘的地方插入钝化玻璃。主要有两个好处:
1、提高绝缘强度,这是显而易见的
2、改善高频性能。因为半导体器件中常用的二极管(PN结)绝缘技术有一个缺点:极间电容。大功率器件PN结的面积大,极间电容也大,严重影响其高频性能,改用钝化玻璃就解决了这个问题
答 9: Total Device Dissipation @TA=25摄氏度 Derate above 25摄氏度就是超过25摄氏度后,最大额定功率要随温度上升而递减
例如,25度下总功耗500mW,25度以上就变成500-x*ΔT了,其中x就是那个递减率 答 10: 晕。。。。。。。。。。。。这个搞不清楚在datasheet为什么要加这一句,因为几乎所有的IC芯片都要使用这一工艺。这不是什么特点了。所以我当时也纳闷呢。外面包装好象用这个,也许是它的优点所在。^_^
另外钝化能改善高频特性不是很清楚,但是并不能减小极间电容啊,因为PN结电容是内建的,怎么和钝化有关系呢?
Total Device Dissipation @TA=25摄氏度 Derate above 25摄氏度
这句话的意思是说,25度时器件所能承受的最大(所有)功耗,25度以上这个指标就要减小了。
比方说在25度器件的能承受的所有功耗是1W,而25度以上就要小于1W,环境温度越高,这个指标越小。
答 11: 所谓玻璃钝化是指钝化什么呢?按赤铸的说法,既然钝化后改善高频特性,那么,象结电容什么的也得“改善”了? 答 12: 钝化不是把二极管本身的PN结给钝化了那二极管就变成绝缘体了
而是把“隔离带(姑且这么叫吧)”的绝缘PN结换成钝化玻璃
并不是所有器件都用,好像通常都是大功率器件(如大电流整流二极管),PN结面积比较大,结电容也大,才用这个 答 13: 钝化应该是保护层就是在作好的硅片上长一层玻璃,然后再开孔。
(这个孔书上有的叫压点或是压焊块,下面是铝,英文叫PAD),然后用金(铝)丝将P, N两极连出来到管脚上。很大电流的PN结会用铝线(金丝粗了,就太贵了).
钝化层的作用主要是为了防止大气中的水汽及其他沾污。(这些会引起表面漏电或容易击穿)
在英文中这个工艺叫passivation,翻译过来就是钝化。
(对于IC芯片也是一样)我画了个示意图,对知道的人来讲是很简单的。
答 14: 看来我的理解有偏差的确有用钝化玻璃解决频率响应的,就是把PN结的一部分或隔离PN结用钝化玻璃隔开,但那个属于技术细节
一般场合钝化还应该理解成“包在外面”的保护层
至于节点到端点和节点到周围的热阻可能你的说法有问题。
我的感觉是:
节点到端点应该是Junction to tp?(英文是什么)(应该是结到PN端点(长脚引出处?))
节点到环境应该是Junction to ambient(结到环境)
这里的“结”就是PN那个结(junction).
热阻(Thermal resistance)反应的是器件在使用过程中的散热情况。热阻大则散热差。
在半导体器件的使用中,PN结的温度是有一定限制的。一般取150C.
Rthj-tp(结到端点)是外部散热条件非常好(热一到端点就被全部吸走)的情况下的热阻。是理想使用条件下的热阻。
Rthj-a就是在实际使用条件下的热阻,它包括了Rthj-tp.单位是C/W.(度/瓦)
结温度的计算公式是
Tj=Ta+P*Rthj-a.
Ta是环境温度,P是二极管上面的功耗(二极管的压降乘以通过的电流)。
如果Rthj-a=60C/W, Ta=25C,则最大功耗是
Pmax=(150-25)/60=2.08W.
如果整流管平均电压是1V,那么经过它的平均电流不能超过2A.
在设计时是要考虑这个参数的。
Rthj-tp是个固定的值,它是由器件本身决定的。
Rthj-a虽然包括Rthj-tp,但是它和外部的散热条件有关系,包括有没有散热器及其大小,有没有吹风或是芯片浸在绝缘的液体里面等等。
答 2: 我明白了!Rthj-tp:themal resistance from junction to tie-point
Rthj-a:thermal resistance from junction to ambient
我终于理解了.
非常感谢!!!
答 3: 呵呵关于功耗问题由于我对交流电不熟悉,但是我感觉峰值功率也可能将器件打坏。
当然,硅的熔点很高,但是局部高温可能熔化器件内部铝导线而导致失效。 答 4: 来得不错原来我对玻璃纯化也是一知半解也够不上受教 答 5: 磁珠与普通电感线圈请教:磁珠和普通电感线圈有什么区别啊?我们在应用他们时应如何选择? 答 6: re二者对高频信号的衰减方式不一样。磁珠是一根导线穿过一个磁环,该磁环对高频信号有吸收作用,而电感是什么就不用说了吧。磁珠只是用来滤除高频干扰的,电感线圈这个电路元件对高频的阻隘作用只是它的一个特性,在用磁珠的场合可以用电感来代替,而电感则不能用磁珠代替。
对磁珠的阻抗搞不大清楚,知道的讲一下。 答 7: 三极管的datasheet我最近在看三极管2N3905的介绍,最大额定值介绍里:Total Device Dissipation @TA=25摄氏度 Derate above 25摄氏度
不知道是什么意思?
请教各位! 答 8: 玻璃钝化是一种半导体工艺不是指外面包的玻璃壳(密封玻璃壳叫做hermetically sealed glass),而是指是对芯片本身进行处理,在需要绝缘的地方插入钝化玻璃。主要有两个好处:
1、提高绝缘强度,这是显而易见的
2、改善高频性能。因为半导体器件中常用的二极管(PN结)绝缘技术有一个缺点:极间电容。大功率器件PN结的面积大,极间电容也大,严重影响其高频性能,改用钝化玻璃就解决了这个问题
答 9: Total Device Dissipation @TA=25摄氏度 Derate above 25摄氏度就是超过25摄氏度后,最大额定功率要随温度上升而递减
例如,25度下总功耗500mW,25度以上就变成500-x*ΔT了,其中x就是那个递减率 答 10: 晕。。。。。。。。。。。。这个搞不清楚在datasheet为什么要加这一句,因为几乎所有的IC芯片都要使用这一工艺。这不是什么特点了。所以我当时也纳闷呢。外面包装好象用这个,也许是它的优点所在。^_^
另外钝化能改善高频特性不是很清楚,但是并不能减小极间电容啊,因为PN结电容是内建的,怎么和钝化有关系呢?
Total Device Dissipation @TA=25摄氏度 Derate above 25摄氏度
这句话的意思是说,25度时器件所能承受的最大(所有)功耗,25度以上这个指标就要减小了。
比方说在25度器件的能承受的所有功耗是1W,而25度以上就要小于1W,环境温度越高,这个指标越小。
答 11: 所谓玻璃钝化是指钝化什么呢?按赤铸的说法,既然钝化后改善高频特性,那么,象结电容什么的也得“改善”了? 答 12: 钝化不是把二极管本身的PN结给钝化了那二极管就变成绝缘体了
而是把“隔离带(姑且这么叫吧)”的绝缘PN结换成钝化玻璃
并不是所有器件都用,好像通常都是大功率器件(如大电流整流二极管),PN结面积比较大,结电容也大,才用这个 答 13: 钝化应该是保护层就是在作好的硅片上长一层玻璃,然后再开孔。
(这个孔书上有的叫压点或是压焊块,下面是铝,英文叫PAD),然后用金(铝)丝将P, N两极连出来到管脚上。很大电流的PN结会用铝线(金丝粗了,就太贵了).
钝化层的作用主要是为了防止大气中的水汽及其他沾污。(这些会引起表面漏电或容易击穿)
在英文中这个工艺叫passivation,翻译过来就是钝化。
(对于IC芯片也是一样)我画了个示意图,对知道的人来讲是很简单的。
答 14: 看来我的理解有偏差的确有用钝化玻璃解决频率响应的,就是把PN结的一部分或隔离PN结用钝化玻璃隔开,但那个属于技术细节
一般场合钝化还应该理解成“包在外面”的保护层
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