共2条
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问
积分与微分电路中的时间是如何算出来?如何取值呢?如图http://www.etuni.com/bbs/PIC.asp?syid=175661所示
的微分电路,它上电时的高电平时间是如何算出来的?那些电阻
及电容的值又是根据什么来确定的?如它这里是用R22=220K,
C10=47n,它为什么不用470K的电阻和22n的电容呢?又或者用47K
和220n的电容呢?还是上面这几个都可以用呢?还有它这里为什
么还要用R21呢?不是R22和C10就可以组成微分电路了吗?再者根
据电容两端电压不能突变这一特点:对C31来说,它上面的电位
(TP14一点的电位)在上电后瞬间应该保持为低电平,但这样一
来岂不是C10和R22不能构成微分电路,不能进行上电复位这一动
作?本人对电容这东西还是了解的不够,希望各位前辈能指点一
下,先谢了。
答 1: 关注中!!!! 答 2: 请看看<电路分析基础>书 答 3: TO a12345678:看得明白就不用问了。要是你觉得你很清楚很了解的话,请你讲一下。希望能说得明白。谢谢。 答 4: 对哦,就应该这要问问那些很强的人,哈.顶! 答 5: guanzhu 答 6: 等待 答 7: re上电瞬间RESET的电位应该是V(tp24)*(R22/(R21+R22))吧,R22一变上电电位也变了,时间常数应该是(R22/(R21+R22))*C10,TP24上电瞬间C31也同时充电,因为没有电阻,充电速度接近光速,充电时间可忽略不计 答 8: 对leothree的补充 上电瞬间RESET的电位是Vcc在R22与R21上的分压,时间常数是(R21+R22)*C10。上电时间是指从上电瞬间电压逐步降到被复位芯片输入高电平的最低允许值之间的过渡时间。
元件的取值需要根据被复位芯片的复位时间要求/被复位芯片输入高电平的最低允许值/被复位芯片输入电流要求/印制板的限制条件/阻容元件参数大致确定。这必然出现多种组合情况,例如楼主所说的“如它这里是用R22=220K,C10=47n,它为什么不用470K的电阻和22n的电容呢?又或者用47K和220n的电容呢?还是上面这几个都可以用呢?”
进一步的确定阻容的数值,主要考虑抗干扰/体积限制/元件种类限制。即使如此,还是有多种参数组合,只要满足要求即可,不一定非要与别人一致。
至于这个图中为什么还要用R21与R22分压,估计是由于芯片是采用3V电源供电,而Vcc接近5V,这样需要通过分压来满足电平匹配的要求。
上电瞬间C31也同时充电,由于电源和电容C31有内阻,但是内阻不大,充电时间不长,一般小于100us(除非有特别原因),而一般的复位时间在10ms左右,两者时间相差很大,不会相互影响。C31的取值主要根据电源的纹波要求来计算,要求较低时可以按照最大电流估算,大约1000mA/1000uF。需要注意的是电解电容高频内阻抗较大,需要并联小容量的高频电容,例如瓷片/涤纶/聚酯电容。
答 9: 数字存储示波器能帮助很好地搞明白这些问题一个RC电路元件数值的选取与它周围的电路有关,比如说阻抗等,在运放上运用时可能要兼顾运放的增益、失调电流平衡等等,教科书上讲的时候往往只是孤立地讲,所以有楼主的问题。其实我觉得楼主提出这样的问题,说明他(她)开始入门了。
我们即将推出电视数字存储示波器,能捕捉瞬间波形,尤其适合电子爱好者,是学习电子的有力工具。许多图片不便上传,有兴趣的朋友可发Email到zmlab_for_you@163.com。 答 10: 非常感谢leothree前辈和a12345678前辈。
的微分电路,它上电时的高电平时间是如何算出来的?那些电阻
及电容的值又是根据什么来确定的?如它这里是用R22=220K,
C10=47n,它为什么不用470K的电阻和22n的电容呢?又或者用47K
和220n的电容呢?还是上面这几个都可以用呢?还有它这里为什
么还要用R21呢?不是R22和C10就可以组成微分电路了吗?再者根
据电容两端电压不能突变这一特点:对C31来说,它上面的电位
(TP14一点的电位)在上电后瞬间应该保持为低电平,但这样一
来岂不是C10和R22不能构成微分电路,不能进行上电复位这一动
作?本人对电容这东西还是了解的不够,希望各位前辈能指点一
下,先谢了。
答 1: 关注中!!!! 答 2: 请看看<电路分析基础>书 答 3: TO a12345678:看得明白就不用问了。要是你觉得你很清楚很了解的话,请你讲一下。希望能说得明白。谢谢。 答 4: 对哦,就应该这要问问那些很强的人,哈.顶! 答 5: guanzhu 答 6: 等待 答 7: re上电瞬间RESET的电位应该是V(tp24)*(R22/(R21+R22))吧,R22一变上电电位也变了,时间常数应该是(R22/(R21+R22))*C10,TP24上电瞬间C31也同时充电,因为没有电阻,充电速度接近光速,充电时间可忽略不计 答 8: 对leothree的补充 上电瞬间RESET的电位是Vcc在R22与R21上的分压,时间常数是(R21+R22)*C10。上电时间是指从上电瞬间电压逐步降到被复位芯片输入高电平的最低允许值之间的过渡时间。
元件的取值需要根据被复位芯片的复位时间要求/被复位芯片输入高电平的最低允许值/被复位芯片输入电流要求/印制板的限制条件/阻容元件参数大致确定。这必然出现多种组合情况,例如楼主所说的“如它这里是用R22=220K,C10=47n,它为什么不用470K的电阻和22n的电容呢?又或者用47K和220n的电容呢?还是上面这几个都可以用呢?”
进一步的确定阻容的数值,主要考虑抗干扰/体积限制/元件种类限制。即使如此,还是有多种参数组合,只要满足要求即可,不一定非要与别人一致。
至于这个图中为什么还要用R21与R22分压,估计是由于芯片是采用3V电源供电,而Vcc接近5V,这样需要通过分压来满足电平匹配的要求。
上电瞬间C31也同时充电,由于电源和电容C31有内阻,但是内阻不大,充电时间不长,一般小于100us(除非有特别原因),而一般的复位时间在10ms左右,两者时间相差很大,不会相互影响。C31的取值主要根据电源的纹波要求来计算,要求较低时可以按照最大电流估算,大约1000mA/1000uF。需要注意的是电解电容高频内阻抗较大,需要并联小容量的高频电容,例如瓷片/涤纶/聚酯电容。
答 9: 数字存储示波器能帮助很好地搞明白这些问题一个RC电路元件数值的选取与它周围的电路有关,比如说阻抗等,在运放上运用时可能要兼顾运放的增益、失调电流平衡等等,教科书上讲的时候往往只是孤立地讲,所以有楼主的问题。其实我觉得楼主提出这样的问题,说明他(她)开始入门了。
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