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问 现象：

单片机运行的时候代码可以放到RAM中，可以放到EEPROM中，还可以放到FLASH里。它甚至可以刚才还在ram中运行着，过一会跳到了flash里去运行。而不是像pc机一样把eeprom中的代码先读到ram中，然后再ram中运行。


计算机运行时代码主要在RAM里面，而不是用它的硬盘来运行。
即使他想要运行硬盘里面有代码，也是把代码调到ram里面来之后再运行，
（这就是缺页中断后做的操作）



原因1：
访问速度的问题。
运行程序必然要频繁的访问代码，而把代码放到硬盘里必定要频繁的访问硬盘，
而cpu的执行速度和读取硬盘的速度差着好几个数量级。

原因2：
出于保护硬盘的目的
eeprom，flash在芯片中是固定的。写eeprom,flash的次数有限制，读应该没有限制，所以可以尽管去读
而访问硬盘是靠硬盘的高速运转来实现的。频繁的访问硬盘（即使只有读没有写）也会影响硬盘的寿命。 答 1: 有一定道理. 答 2: 好象错误不少... 答 3: 总线结构决定的。硬盘是外设，并不是真正意义上的存储器。它并不是总线上的一部分，CPU是不能直接对其内部数据单元寻址的，
而是通过IDE接口（注意叫做IDE接口，而不能叫做IDE总线）读取数据。


在PC中，CPU只能从存储器中运行程序，存储器包括ROM和RAM。ROM例如主板上BIOS部分，这跟MCU系统中的FLASH中的BOOT作用是一样的。
现在的主板中的BIOS一般也是用FLASH做的，可以升级，使用刷BIOS的工具就行了，不过没必要还是别乱刷，因为如果刷的过程中，
出现错误，就不能再引导系统了（双BIOS的主板除外）。而电脑启动之后，则一般是在RAM中运行的，包括BIOS部分，也被读出放入
到RAM中，以加快运行速度。而操作系统跟应用程序，则一定是在主存中运行的，从外设硬盘中将数据读入到主存中，然后在里面运行之。 答 4: 上述的比较过于笼统    低速单片机的处理过程确实如楼上各位所说。但是单片机的速度提高较快，高速单片机的内部结构逐步向通用CPU靠近，高性能单片机开始外挂SDRAM，这时的单片机的执行过程就向通用CPU靠拢了。
    与单片机实现简单的可以预测的控制和计算不同，通用CPU负担很多计算量很大，而且不可预测的任务，CPU的计算能力远远超出单片机，CPu的内核速度达到了GHz数量级，但是由于高速SRAM的成本过高，只能做成CPU内部的cache等，外部存储器只能采用动态存储器（Flash存储器速度不过15MHz，远远不能适应CPU的速度）。目前存储器的速度是制约CPU性能的最大障碍，即使采用DDR RAM或是QDDR RAM，存储器的速度也不能满足CPU的接口速度要求，所以只好采用CPU内核/L1 cache /L2 cache /外部DRAM的体系，这就是通用CPU与单片机的本质区别，这样就决定了两者的执行过程不相同。CPU除了在启动时处于低速阶段可以从BIOS(Flash存储器)中执行初始化以外，一旦完成初始化，就可以提升CPU速度到额定速度，这时CPU与FLASH之间已经无法接口，只能在DRAM中或是CPU内部RAM/cache中执行程序了。
答 5: 感谢大家原来不能再硬盘里直接运行代码的原因是这个啊。
谢谢了