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问
对于一个spdt的analog switch,如果没有供电,它的常闭端是连通的吗,还是出于高阻的状态?
另外,能不能通过低于GND的电压信号?
这些在datasheet上都没有提到,请高手帮忙答复,非常感谢 答 1: 如果没有供电,不允许接入信号没有供电情况下,有电阻,但不是导通状态。
如果没有使用负电源,模拟开关不能通过低于GND的电压信号 答 2: 这个图说明问题:正负电源供电可以导通负信号CMOS 模拟开关的选择与典型应用
Maxim公司北京办事处 魏智 编译
........
二、正确选择CMOS开关:
1、导通电阻:传统模拟开关的结构如图1 所示,它由N 沟道MOSFET 与P 沟道MOSFET 并联
构成,可使信号双向传输,如果将不同VIN值所对应的P 沟道MOSFET 与N 沟道MOSFET 的导
通电阻并联,可得到图2 并联结构下导通电阻(RON)随输入电压(VIN)的变化关系,如果不
考虑温度、电源电压的影响,RON 随VIN 呈线性关系,将导致插入损耗的变化,使模拟开关产
生总谐波失真(THD),这是设计人员所不希望的,如何将RON随VIN的变化量降至最小也是设
计新一代模拟开关所面临的一个关键问题。
另外,导通电阻还与开关的供电电压有关,由
图3 可以看出:RON随着电源电压的减小而增大,当
MAX4601的电源电压为5V 时,最大RON为8Ω;当电
源电压为12V 时,最大RON为3Ω;电源电压为24V
时,最大RON仅为2.5Ω。RON的存在会使信号电压产
生跌落,跌落量与流过开关的电流成正比,对于适
当的电流这一跌落量在系统容许的误差范围内,而
要降低RON所耗费的成本却很高,因此,应根据实际
需要加以权衡。RON 确定后,还需考虑通道间的失配
度与RON的平坦度。通道失配度用来描述同一芯片不
同通道间RON 的差别;RON 的平坦度用于描述每一通
道的RON在所规定的信号范围内的变化量。这两个参
数的典型值为2Ω至5Ω,对于低RON 模拟开关,这
些参数仅为0.5Ω。失配度/RON、平坦度/RON 这两个
比值越小,说明模拟开关的精度越高。
..........
上述内容直接是COPY的,未堪误。其它内容请依线索自己查找原文件或相关资料。
http://www.21icsearch.com/buzi/upimage/upfile/2005132315490.jpg
另外,能不能通过低于GND的电压信号?
这些在datasheet上都没有提到,请高手帮忙答复,非常感谢 答 1: 如果没有供电,不允许接入信号没有供电情况下,有电阻,但不是导通状态。
如果没有使用负电源,模拟开关不能通过低于GND的电压信号 答 2: 这个图说明问题:正负电源供电可以导通负信号CMOS 模拟开关的选择与典型应用
Maxim公司北京办事处 魏智 编译
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二、正确选择CMOS开关:
1、导通电阻:传统模拟开关的结构如图1 所示,它由N 沟道MOSFET 与P 沟道MOSFET 并联
构成,可使信号双向传输,如果将不同VIN值所对应的P 沟道MOSFET 与N 沟道MOSFET 的导
通电阻并联,可得到图2 并联结构下导通电阻(RON)随输入电压(VIN)的变化关系,如果不
考虑温度、电源电压的影响,RON 随VIN 呈线性关系,将导致插入损耗的变化,使模拟开关产
生总谐波失真(THD),这是设计人员所不希望的,如何将RON随VIN的变化量降至最小也是设
计新一代模拟开关所面临的一个关键问题。
另外,导通电阻还与开关的供电电压有关,由
图3 可以看出:RON随着电源电压的减小而增大,当
MAX4601的电源电压为5V 时,最大RON为8Ω;当电
源电压为12V 时,最大RON为3Ω;电源电压为24V
时,最大RON仅为2.5Ω。RON的存在会使信号电压产
生跌落,跌落量与流过开关的电流成正比,对于适
当的电流这一跌落量在系统容许的误差范围内,而
要降低RON所耗费的成本却很高,因此,应根据实际
需要加以权衡。RON 确定后,还需考虑通道间的失配
度与RON的平坦度。通道失配度用来描述同一芯片不
同通道间RON 的差别;RON 的平坦度用于描述每一通
道的RON在所规定的信号范围内的变化量。这两个参
数的典型值为2Ω至5Ω,对于低RON 模拟开关,这
些参数仅为0.5Ω。失配度/RON、平坦度/RON 这两个
比值越小,说明模拟开关的精度越高。
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上述内容直接是COPY的,未堪误。其它内容请依线索自己查找原文件或相关资料。
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