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问 我查了PLL设置。。没发现有问题啊。。。 答 1: a 答 2: ZLG的代码中将外部总线设成最慢的了! 答 3: Re: luck_zhan我已经重新设置了 VPB总线速度，，好像没什么变化？

VPBDIV = 1;

还有更好的建议吗？ 答 4: re:想想啊老大，里面是高速flash，可以基本做到1个xclk读取一条32位指令。
再看看外部flash，首先一般的flash的读写周期是70ns。假设我们的总线正好读周期正好是70ns，读两次flash能够完成一次指令读操作。那么拿60M的晶振来做计算：
内部flash，一秒钟可以完成54M（0.9MIPS/MHz）条指令。
外部flash，一秒钟可以完成7.14M条指令（这还是高估了）。

解决办法：如果你一定要使用无内部flash的ARM（如LPC2220），可以将高速代码移到内部的RAM来执行。如果放不下，试着把你的指令编译成THUMB，基本可以提高一倍的速度。