共2条
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问
比如设计一CMOS反相器,有PMOS NMOS
1. tr=tf 所以Rn=Rp ,若Un=2.5Up,那么 (W/L)p=2.5 (W/L)n,若采用最小化设计,Ln=Lp这样得到了PMOS和NMOS的宽比为
Wp=2.5Wn,但 PMOS或者NMOS本身的W/L如何求才能成功设计一可驱动下一级的CMOS反相器呢?
啊
求助
答 1: 这个比较难说从理论上来讲,MOS管的栅极工作是不要电流的,只要电压,
所以比双极器件功耗低。不需要设计多大的MOS管来驱动下一级。
但是前级的电流大,则充放电速度就快,因为如果后级漏电流大则栅极的电容
就比较大了。
1. tr=tf 所以Rn=Rp ,若Un=2.5Up,那么 (W/L)p=2.5 (W/L)n,若采用最小化设计,Ln=Lp这样得到了PMOS和NMOS的宽比为
Wp=2.5Wn,但 PMOS或者NMOS本身的W/L如何求才能成功设计一可驱动下一级的CMOS反相器呢?
啊
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答 1: 这个比较难说从理论上来讲,MOS管的栅极工作是不要电流的,只要电压,
所以比双极器件功耗低。不需要设计多大的MOS管来驱动下一级。
但是前级的电流大,则充放电速度就快,因为如果后级漏电流大则栅极的电容
就比较大了。
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