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问 各位高手：
    小弟现需使用单片机模拟DRAM时序，但对DRAM的一些操作规则不是很了解，而从alldatasheet.com上下载到的datasheet说得很不详细，只描述了各个操作的时序，但没介绍其功能，所以有以下问题希望各位解答：
    我用的DRAM（km44v4000）有一项操作是CAS before RAS self refresh，是不需要输入地址的；还有一种操作是CAS before RAS refresh，不需要地址；还有一种 RAS ONLY refresh,是需要ROW地址的；问题是：这三种刷新有什么区别？RAS ONLY refresh 操作是否只针对一行进行操作？CAS before RAS self refresh 是否可以一次刷新所有的行？（因为它需要至少100us，相对其他操作来说已经是非常非常的久了）
我在2K赫兹中断里面调用了CAS before RAS refresh这个函数多次（因为我看过一些资料说自动刷新的话DRAM内部有行计数器，每调用一次会自加，而且该操作不用输入地址，比较简单）以保证在64ms内每一行都刷新到。但是读写不正确，写入5，但读出是0。
    请帮忙回答我上面的问题，非常感谢。 答 1: 求助 答 2: 若访问较少，采用自刷新较简单