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问 我用的是EasyARM2210开发板，使用外部扩展总线，对应的存储区域为bank2，通过外部总线写数据，总得不到想要的数据，后来用示波器观察，发现WE信号是双写信号，即在两个低电平之间有短暂的高脉冲，这样，在一个写信号过程中会取两次数据，导致数据不正常！
不知有没有人遇到这种问题，希望高手指点一下该怎么解决！！ 答 1: 顶顶一下，高手们怎么都不屑回答阿~~~实在没办法只好加电容了，不过这样信号的边沿质量会下降的，不知还有什么结决方法！！ 答 2: re你所说的高脉冲脉冲幅度和脉冲宽度是多少？高脉冲出现在WE使能后的那个时间段？是刚开始，中间？还是快结束的时候？
你可以先断开外部连线，运行程序，用示波器看看这个时候WE信号正不正常,以确定问题是在哪部分硬件 答 3: re aah我所说的高脉冲出现在WE信号的正中间，几乎没有宽度，只是个尖峰，在断开外部总线连接后，发现症状依旧。由于所需的控制信号是~WE和138的~Y1的合成，在合成信号的引脚上加0.001uF电容可以滤除几个信号的尖峰，但剩余的控制信号还有尖峰（注：需要5个控制信号，其中3个的尖峰可以用电容滤除），并且接受不到正确的数据。

另：发现，总线数据信号持续时间只是WE信号的一半，并且是前一半时间....