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IAR2,10,NO,INIT 在IAR2。10下如何定义信息存储器（NO——INIT）。
问
我采用好多种方法，都定义不到1000——10FF的地址空间。只在RAM中。
谢谢！ 答 1: NO_INIT本来就是变量的类型，当然是在ram里 答 2: NO_INIT可以是FLASH中,但问题是如果在FLASH中,这个变量将无法被改变.应该将常熟定义在FLASH才是正确的. 答 3: 呵呵，不能改变的还是－－－－变量－－－－吗？ 答 4: 您可能误解了，将“变量”定义在FLASH区不是不可以，但问题是既然是变量就有可能随时发生变化，这样务必就要对FLASH频繁的操作，当然会影响MCU的使用寿命。 答 5: no_init就是非易失性变量，一般公认的就是定义在ram区。既然现在想在info.flash区存放内容，那么为什么要违背常规而去使用no_init呢？
谢谢！ 答 1: NO_INIT本来就是变量的类型，当然是在ram里 答 2: NO_INIT可以是FLASH中,但问题是如果在FLASH中,这个变量将无法被改变.应该将常熟定义在FLASH才是正确的. 答 3: 呵呵，不能改变的还是－－－－变量－－－－吗？ 答 4: 您可能误解了，将“变量”定义在FLASH区不是不可以，但问题是既然是变量就有可能随时发生变化，这样务必就要对FLASH频繁的操作，当然会影响MCU的使用寿命。 答 5: no_init就是非易失性变量，一般公认的就是定义在ram区。既然现在想在info.flash区存放内容，那么为什么要违背常规而去使用no_init呢？
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